公开(公告)号：CN112490131B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202011357077.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 韩传余 ,  李廷廷 ,  王小力

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明涉及集成电路的引线框架制备，具体涉及一种基于刻蚀工艺的引线框架制备方法，以解决现有刻蚀法加工过程中的光刻胶只能一次性使用，使得生产成本过高的技术问题。本发明引线框架制备方法包括：将金属薄板或聚合物薄膜材料加工成引线框架图形的掩模板，掩模板的一面涂布PDMS等粘性聚合物材料；将掩模板带有粘性聚合物材料的一面与待刻蚀铜基材紧密贴合，在真空中压紧；放置于温度为40～100℃、浓度为0.1g/ml～0.6g/ml的FeCl3溶液中进行刻蚀；将刻蚀好的铜基材从掩模板上取下，得到需要的引线框架。本发明采用可重复利用的掩模板，实现高密度和多脚引线框架的生产，在很大程度上保证了刻蚀精度，降低了制作成本。

公开(公告)号：CN112490131A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011357077.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 韩传余 ,  李廷廷 ,  王小力

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明涉及集成电路的引线框架制备，具体涉及一种基于刻蚀工艺的引线框架制备方法，以解决现有刻蚀法加工过程中的光刻胶只能一次性使用，使得生产成本过高的技术问题。本发明引线框架制备方法包括：将金属薄板或聚合物薄膜材料加工成引线框架图形的掩模板，掩模板的一面涂布PDMS等粘性聚合物材料；将掩模板带有粘性聚合物材料的一面与待刻蚀铜基材紧密贴合，在真空中压紧；放置于温度为40～100℃、浓度为0.1g/ml～0.6g/ml的FeCl3溶液中进行刻蚀；将刻蚀好的铜基材从掩模板上取下，得到需要的引线框架。本发明采用可重复利用的掩模板，实现高密度和多脚引线框架的生产，在很大程度上保证了刻蚀精度，降低了制作成本。