-
公开(公告)号：CN107659200A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201711130580.6
申请日：2017-11-15
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于真空灭弧室老炼的级联型亚微秒级高压脉冲发生器，脉冲变压器原边绕组的一端与续流二极管的正极及储能电容的一端相连接，储能电容的另一端与控制开关的一端及第一磁开关的一端相连接，第二磁开关的一端与续流二极管的负极、控制开关的另一端及脉冲变压器原边绕组的另一端相连接；前一个脉冲变压器组件中第一磁开关的另一端与下一个脉冲变压器组件中第一磁开关与储能电容之间的线路相连接；各脉冲变压器组件中脉冲变压器的副边绕组串联相连接，该脉冲变压器输出脉冲电压的幅值较高，并且成本较低。
-
公开(公告)号：CN112126898B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010843985.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 平高集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C22C9/00 , H01H33/664 , H01H11/04
Abstract: 本发明涉及一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料。该真空断路器用触头包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18‑25％，Mo 5‑10％，Ta 20‑30％，余量为Cu。本发明提供的真空断路器用触头，经磁控溅射镀覆Cu、Cr、Mo、Ta元素分布均匀的合金膜，Cu、Cr、Mo、Ta元素形成多组分稳定相结构，在高温下未发现明显相分离与扩散。经真空击穿实验表明，其可使电弧在触头表面更广泛的区域运动，减少集中侵蚀，具有优异的抗电弧烧蚀性能及耐电压性能。
-
公开(公告)号：CN116435132A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310450357.9
申请日：2023-04-24
Applicant: 天津平高智能电气有限公司 , 西安交通大学
IPC: H01H33/664 , H01F29/04 , H01H9/00
Abstract: 本发明公开了一种有载分接开关真空灭弧室的纵磁触头结构及工作方法，包括圆柱形静触头棒，静触头侧3/4环形铁芯，圆柱形静触头，圆柱形动触头，动触头侧3/4环形铁芯，圆柱形动触头棒。其中圆柱形静触头棒和圆柱形静触头固定连接，静触头侧3/4环形电工纯铁与圆柱形静触头高强度粘接，圆柱形动触头和圆柱形动触头棒固定连接，动触头侧3/4环形电工纯铁和圆柱形动触头高强度粘接。本发明利用触头间的纵向磁场将真空电弧约束在触头片表面，以达到减少金属蒸气喷溅的目的。
-
公开(公告)号：CN112126898A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010843985.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 平高集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 西安交通大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C22C9/00 , H01H33/664 , H01H11/04
Abstract: 本发明涉及一种真空断路器用触头及其制备方法，真空断路器、真空断路器触头用合金镀层材料。该真空断路器用触头包括触头基底以及通过磁控溅射镀覆在触头基底上的表面镀层，所述表面镀层由以下质量百分比的组分组成：Cr 18‑25％，Mo 5‑10％，Ta 20‑30％，余量为Cu。本发明提供的真空断路器用触头，经磁控溅射镀覆Cu、Cr、Mo、Ta元素分布均匀的合金膜，Cu、Cr、Mo、Ta元素形成多组分稳定相结构，在高温下未发现明显相分离与扩散。经真空击穿实验表明，其可使电弧在触头表面更广泛的区域运动，减少集中侵蚀，具有优异的抗电弧烧蚀性能及耐电压性能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
