公开(公告)号：CN118133730A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410456969.3

申请日：2024-04-16

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 贺朝会 ,  白豪杰 ,  彭治钢 ,  郭亚鑫 ,  李永宏

IPC: G06F30/327 ,  G06F30/367

Abstract: 本申请公开了一种1553B数模混合电路的仿真方法、装置、设备及介质。该方法包括：通过VHDL语言根据表征模拟电路中每个模拟器件逻辑功能的模拟信号对应的数字信号对所有模拟器件的逻辑功能进行仿真，建立模拟电路的第一仿真模型；通过VHDL语言对数字电路的每个数字器件的逻辑功能进行仿真，建立数字电路的第二仿真模型；根据第一MOSFET结构在不同总剂量效应影响下的第一参数，校正第一仿真模型中受总剂量效应影响的参数，根据第二MOSFET结构在不同总剂量效应影响下的第二参数，校正第二仿真模型中受总剂量效应影响的参数；结合校正后的第一仿真模型与第二仿真模型，生成1553B数模混合电路的仿真模型。

公开(公告)号：CN118627461A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410514777.3

申请日：2024-04-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 贺朝会 ,  彭治钢 ,  白豪杰 ,  郭亚鑫 ,  李洋 ,  李培 ,  李永宏

IPC: G06F30/398

Abstract: 本发明提供一种图像传感类电子系统总剂量效应跨层次仿真方法、系统、设备及介质，以CMOS图像传感类电子系统为目标研究对象，以组成CMOS图像传感类电子系统的基础单元包括CMOS图像传感器内部的4T PPD像素单元、NMOS和PMOS晶体管、典型电路和典型功能模块为着手点，可模拟不同辐射参数下的系统响应，对系统内部各模块进行针对性的仿真模拟，可深入分析CMOS图传感类电子系统的总剂量效应响应，极大的弥补了实验的诸多缺点，其次，本发明提出仿真方法从器件层次到电路层次再到系统层次，属于跨层次的总剂量效应模拟仿真，为未来空间环境中电子系统的辐射效应研究提供具有价值的理论参考。

公开(公告)号：CN118153503A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410265192.2

申请日：2024-03-08

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 李培 ,  彭治钢 ,  董志勇 ,  贺朝会

IPC: G06F30/367

Abstract: 本发明公开了一种图像传感器瞬时剂量率效应仿真评估方法，涉及CMOS图像传感器技术领域，包括以下步骤：构建CMOS图像传感器的TCAD器件模型和HSPICE电路模型；通过γ辐照模型仿真TCAD模型的瞬时剂量率效应，得到多个瞬时光电流响应；对多个瞬时光电流响应的波形进行拟合，基于拟合结果建立瞬时剂量率效应HSPICE模型，通过建立的瞬时剂量率效应HSPICE模型替换等效4T PPD像素单元电路模型、读出电路模型和列级模数转换器电路模型，对替换后的各模型的瞬时剂量率效应模拟仿真，得到仿真结果并进行评估分析。本发明采用TCAD和HSPICE相结合的方法，研究了CMOS图像传感器的瞬时剂量率效应，为其在辐射环境的应用和TDRE的研究提供参考。