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公开(公告)号：CN102420016A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110343857.X
申请日：2011-11-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G11C29/44
Abstract: 一种嵌入式存储器的内建修复分析方法，包括如下步骤：利用片上冗余的行和列优先修复簇缺陷，离散缺陷采用宽边法进行修复，直到缺陷修复完成或者冗余行和列资源用完；如果冗余行资源和列资源用完后还有离散缺陷未被修复，则将残留的缺陷的位置信息存储在一个非易失存储器中，这些残留的缺陷造成的存储错误将在存储器使用过程中通过片上错误校验电路进行纠正。与已有的方法相比，这种利用片上错误校验码电路辅助的内建修复分析方法可以以非常低的硬件开销实现相同或者更高的缺陷修复率。
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