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公开(公告)号:CN118406920A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410640843.1
申请日:2024-05-22
Applicant: 西安交通大学
IPC: C22C1/05 , B22F3/23 , B22F3/14 , B22F1/18 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/22 , C01B32/28 , B22F9/04 , C22C26/00 , C22C9/00 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供了一种第三代半导体用高导热、低膨胀率金刚石/铜复合材料及其制备方法,在真空条件下,对金刚石磁控镀钨,得到W相包覆的镀层金刚石;将镀层金刚石与铜粉球磨混合均匀;将均匀混合的粉末在进行热压烧结的同时进行热处理制备成为金刚石/铜复合材料。本发明显著提高了金刚石表面的镀层质量,保证了金刚石/铜复合材料的热力学性能不会劣化。
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公开(公告)号:CN118712153A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410696667.3
申请日:2024-05-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种均温微通道装置及其制备方法,均温微通道装置包括:主体,所述主体的材质为复合材料,所述主体内开设有多个微通道,所述微通道用于供液体工质的流通,所述复合材料由金属基体和增强体复合组成,所述增强体设置于所述金属基体内,所述复合材料中的所述增强体的体积分数沿所述微通道的延伸方向梯度变化,以使所述微通道的导热系数沿所述液体工质的流动方向梯度增大。本申请通过采用分段式设计,使得微通道的导热系数能够不断升高,能够使得整个散热过程中的传热效率趋于一致,提高了均温性并提高了导热效果。
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