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公开(公告)号:CN108250846A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810061054.7
申请日:2018-01-22
Applicant: 西南交通大学
IPC: C09D11/52
Abstract: 一种导电墨水及导电粉末的制备方法,涉及导电材料技术领域。该导电粉末的制备方法通过将Ti3AlC2粉末与HCl与LiF的混合溶液进行反应,制得了具有良好分散性和良好导电性的Ti3C2Tx导电粉末,从而使其导电粉末在不需要粘结剂及添加剂的情况下即可与溶剂混合形成具有良好分散性和良好导电性的导电墨水。因此,上述的导电墨水及导电粉末的制备方法,具备良好的应用前景和重要的推广应用价值。
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公开(公告)号:CN109712824A
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201910113618.1
申请日:2019-02-12
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/26 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及电化学领域,具体而言,涉及一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法及三维MXene阵列。一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法包括:将MAX相材料进行刻蚀,得到具有良好导电性的MXene胶体溶液;而后将能够诱导MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中,混合均匀,得到改性Mxene液晶溶液;而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀涂覆Mxene胶体溶液得到一层MXene膜;而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中,并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单,反应易于控制。而制备得到的三维MXene阵列中阵列的取向性较好,且排列整齐。
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公开(公告)号:CN108257791A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810060505.5
申请日:2018-01-22
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种MXene纸电极及其制备方法和微型超级电容器及其制备方法,其主要涉及导电材料领域。该MXene纸电极的制备方法通过采用喷涂技术,制备MXene纸电极,使得MXene纸电极具备轻薄、柔性和成本低廉的优点;另外,本发明通过突破传统超级电容器大多需要集流体的弊端,制备纸片支撑的微型超级电容器,使得该微型超级电容器轻薄、柔性好,并且易于实现微型电容器的贴片化功能。因此,上述的MXene纸电极及其制备方法和微型超级电容器及其制备方法具有重要的推广应用价值和较高的商业价值。
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公开(公告)号:CN110482519A
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201910890355.5
申请日:2019-09-19
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有碳超结构的材料、制备方法以及应用,具有碳超结构的材料的制备包括以下步骤:通过二氧化碳与金属的碳化还原反应,在具有一次生长碳层基体材料的基础上进行二次同质外延生长多孔碳层。碳化还原反应过程中采用活性不同的金属,充分利用金属镁的自模板效应和金属锌的活化造孔效应,通过控制反应温度,充分利用金属锌在高温条件下活性不同的特点,实现碳原子的可控化排布,实现对碳原子利用率的最大化。
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公开(公告)号:CN108467273A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201810549934.9
申请日:2018-05-31
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/58
Abstract: 本发明涉及材料领域,具体而言,涉及一种三元层状Ti3AlCN陶瓷及其制备方法。该制备三元层状Ti3AlCN陶瓷的方法,包括:将混合均匀的钛粉、氮化铝粉、石墨粉过筛后取300目至400目之间的混合粉末;将混合粉末在1400-1600摄氏度烧结1.5-2.5小时;其中,钛粉、氮化铝粉、石墨粉的摩尔比为3:1.0-1.5:1。采用该配比,在1400-1600摄氏度烧结1.5-2.5小时,能够获得层状结构的Ti3AlCN陶瓷,并且颗粒粒径跨度小,碎粒少。该制备方法操作简单,可行性强,有利于推广应用。
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公开(公告)号:CN109712824B
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201910113618.1
申请日:2019-02-12
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/26 , G02F1/1337
Abstract: 本发明涉及电化学领域,具体而言,涉及一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法及三维MXene阵列。一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法包括:将MAX相材料进行刻蚀,得到具有良好导电性的MXene胶体溶液;而后将能够诱导MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中,混合均匀,得到改性Mxene液晶溶液;而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀涂覆Mxene胶体溶液得到一层MXene膜;而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中,并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单,反应易于控制。而制备得到的三维MXene阵列中阵列的取向性较好,且排列整齐。
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