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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107620034B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201710595032.4
申请日：2017-07-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法，包括以下步骤:a、溅射沉积：选取石英(SiO2)基片或蓝宝石(Al2O3)基片作为磁控溅射的衬底，选取纯度为99.999％的Bi2Se3材料作为磁控溅射的靶材，在基片上溅射沉积一层Bi2Se3薄膜；b、后退火处理：将a步沉积有Bi2Se3薄膜的基片和粒径为0.6mm‑1.2mm的硒粒球一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，然后将真空石英管置于管式炉中，在氩气保护气氛下进行后退火处理，即得透明Bi2Se3薄膜。该方法可制备大面积的透光性能良好的Bi2Se3薄膜，制备过程简单，能耗小，成本低，效率高，可重复性好，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN107946080A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711234031.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , H01G9/2022
Abstract: 一种制备染料敏化太阳能电池对电极碳薄膜的方法，其步骤主要是:a、将石英棒依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗；b、将石英棒干燥，放在衬底上，安装99.99％的石墨靶材，靶材到石英棒为5-7cm，将真空室抽真空至2×10-4Pa，再通入99.995％的氩气，使真空室气压为0.45-0.55Pa，衬底温度为380-420℃；c、进行电流为0.2-0.4A、时间为0.5h-1.0h的溅射；d、将石英棒封入气压＜1×10-2Pa的真空石英管中，置于管式炉进行氩气保护的后退火处理，其参数为：以2℃/min升至750-850℃，保温0.5-1h；炉冷。该法制备的碳薄膜为晶化结构，均匀性好，无褶皱。
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公开(公告)号：CN107620034A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710595032.4
申请日：2017-07-20
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 一种制备透明Bi2Se3薄膜的方法，包括以下步骤:a、溅射沉积：选取石英(SiO2)基片或蓝宝石(Al2O3)基片作为磁控溅射的衬底，选取纯度为99.999％的Bi2Se3材料作为磁控溅射的靶材，在基片上溅射沉积一层Bi2Se3薄膜；b、后退火处理：将a步沉积有Bi2Se3薄膜的基片和粒径为0.6mm-1.2mm的硒粒球一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，然后将真空石英管置于管式炉中，在氩气保护气氛下进行后退火处理，即得透明Bi2Se3薄膜。该方法可制备大面积的透光性能良好的Bi2Se3薄膜，制备过程简单，能耗小，成本低，效率高，可重复性好，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN108277466B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201810124872.7
申请日：2018-02-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi2Se3/C的制备方法，其步骤主要是：a、碳基膜的制备：在基片上磁控溅射形成无定形膜；b、碳膜退火成相：将a步得到的基片封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即在基片上得到碳薄膜；c、Bi2Se3基膜的制备：在b步得到的基片上，磁控溅射一层Bi2Se3膜，进而在基片上形成Bi2Se3/C基膜；d、Bi2Se3退火成相：将c步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10‑2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即得。该方法易控制镀膜量，形成的异质结构薄膜平整、性能好。且其制备成本低。
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公开(公告)号：CN108277466A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810124872.7
申请日：2018-02-07
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi2Se3/C的制备方法，其步骤主要是：a、碳基膜的制备：在基片上磁控溅射形成无定形膜；b、碳膜退火成相：将a步得到的基片封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即在基片上得到碳薄膜；c、Bi2Se3基膜的制备：在b步得到的基片上，磁控溅射一层Bi2Se3膜，进而在基片上形成Bi2Se3/C基膜；d、Bi2Se3退火成相：将c步得到的基片和硒粒一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，进行退火成相处理，即得。该方法易控制镀膜量，形成的异质结构薄膜平整、性能好。且其制备成本低。
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