公开(公告)号：CN115505868B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211226006.1

申请日：2022-10-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 羊新胜 ,  王进 ,  罗露林 ,  张洁 ,  赵勇

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01B12/06

Abstract: 一种磁控溅射沉积制备Fe(Se,Te)超导薄膜的方法，其步骤是：将Fe(Se,Te)前驱靶材和将含缓冲层的哈氏合金基带分别作为靶材与衬底，固定在磁控溅射设备腔体内，并使衬底与靶材间的距离为5‑7cm；然后，进行温度为320‑380℃、溅射功率为60‑100W、氩气气压为0.1‑0.3Pa、时间为30‑60min的磁控溅射，即在哈氏合金基带上溅射沉积出Fe(Se,Te)超导薄膜，得到Fe(Se,Te)超导带材。该方法制备的Fe(Se,Te)铁基超导薄膜的结晶性较好，具有外延生长性，薄膜表面平整且光亮，性能稳定；且其制备流程简单、不污染环境，制备成本低廉、适用于工业上大面积生产。

公开(公告)号：CN115505868A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211226006.1

申请日：2022-10-09

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 羊新胜 ,  王进 ,  罗露林 ,  张洁 ,  赵勇

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01B12/06

Abstract: 一种磁控溅射沉积制备Fe(Se,Te)超导薄膜的方法，其步骤是：将Fe(Se,Te)前驱靶材和将含缓冲层的哈氏合金基带分别作为靶材与衬底，固定在磁控溅射设备腔体内，并使衬底与靶材间的距离为5‑7cm；然后，进行温度为320‑380℃、溅射功率为60‑100W、氩气气压为0.1‑0.3Pa、时间为30‑60min的磁控溅射，即在哈氏合金基带上溅射沉积出Fe(Se,Te)超导薄膜，得到Fe(Se,Te)超导带材。该方法制备的Fe(Se,Te)铁基超导薄膜的结晶性较好，具有外延生长性，薄膜表面平整且光亮，性能稳定；且其制备流程简单、不污染环境，制备成本低廉、适用于工业上大面积生产。