CdSNRs@NiSilicate超薄纳米片复合材料的制备及在析氢反应中的应用

    公开(公告)号:CN109847765B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201910177171.4

    申请日:2019-03-08

    IPC分类号: B01J27/043 C01B3/04

    摘要: 本发明公开了一种CdSNRs@NiSilicate超薄纳米片复合材料的制备方法,是先在CdS NRs表面上负载硅烷层,再添加硝酸镍以形成硅酸镍;在水热处理过程中消除了中间二氧化硅层,形成了CdS@NiSilicate纳米结构,NiSilicate纳米片作为保护层,抑制CdS的光致转移,促进CdS中的电荷分离,形成CdS NRs与NiSilicate之间的异质结,这种独特的1D‑2D纳米结构具有大量活性位点的NiSilate纳米片,比表面积明显增加,加速了电子传输并大大提高性能,在光催化产氢中表现出优异的性能。

    通过旋涂煅烧制备钴氧化物/钒酸铋复合材料的方法

    公开(公告)号:CN110227478A

    公开(公告)日:2019-09-13

    申请号:CN201910617247.0

    申请日:2019-07-10

    IPC分类号: B01J23/847 C25B11/06 C25B1/04

    摘要: 本发明提供一种通过旋涂煅烧制备CoOx/BiVO4复合材料的方法,是将CoCl2用乙醇配置成CoCl2的乙醇溶液;用微量注射器将CoCl2的乙醇溶液均匀滴涂在BiVO4膜上,用匀胶机进行旋涂,然后将均匀旋涂后的BiVO4膜置于马弗炉中,升温至280~320℃,煅烧1~1.5小时,制得CoOx/BiVO4复合材料,该复合材料具有负载片状的虫状结构,这种结构有效抑制了光生载流子的复合,加速了电子和空穴的传输速率,因此具有优异的光电催化水氧化活性,以其作为光电阳极材料用于析氧反应,表现出优异的光电化学分解水性能。而且这种旋涂制备方法操作简便,负载均匀,易于大规模使用。

    一种二氧化钛负载钯-锌镉硫光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN107185557B

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201710406509.X

    申请日:2017-06-02

    摘要: 本发明涉及一种二氧化钛负载钯‑锌镉硫光催化剂的制备方法,该方法包括以下步骤:⑴Cd(NO3)2溶于无水乙醇中后加入NaOH溶液、水合肼并转入反应釜中,反应结束后,得反应液;⑵反应液加热后加入Zn(NO3)2,得混合溶液;⑶将(NH4)2S溶于无水乙醇中,并滴加到混合溶液中,搅拌后经离心、干燥得ZnCdS;⑷ZnCdS和双(2,4‑戊二酮)钯经超声分散在去离子水中,得黄色浑浊液;⑸在乙二醇溶液中加入冰醋酸、钛酸四丁酯,于冰水浴搅拌,得无色透明液体;⑹将黄色浑浊液滴加到无色透明液体中搅拌,再加去离子水,搅拌后得黑绿色浊液;⑺黑绿色浊液转移到反应釜中反应,经离心得黑绿色固体;⑻黑绿色固体经洗涤、离心、干燥即得二氧化钛负载钯‑锌镉硫光催化剂。本发明方法简单、成本低。

    CdSNRs@NiSilicate超薄纳米片复合材料的制备及在析氢反应中的应用

    公开(公告)号:CN109847765A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910177171.4

    申请日:2019-03-08

    IPC分类号: B01J27/043 C01B3/04

    摘要: 本发明公开了一种CdSNRs@NiSilicate超薄纳米片复合材料的制备方法,是先在CdS NRs表面上负载硅烷层,再添加硝酸镍以形成硅酸镍;在水热处理过程中消除了中间二氧化硅层,形成了CdS@NiSilicate纳米结构,NiSilicate纳米片作为保护层,抑制CdS的光致转移,促进CdS中的电荷分离,形成CdS NRs与NiSilicate之间的异质结,这种独特的1D-2D纳米结构具有大量活性位点的NiSilate纳米片,比表面积明显增加,加速了电子传输并大大提高性能,在光催化产氢中表现出优异的性能。

    一种负载氧化钴纳米粒子的钒酸铋复合材料的制备及应用

    公开(公告)号:CN109794256A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201910155257.7

    申请日:2019-03-01

    IPC分类号: B01J23/847 C25B1/04 C25B11/06

    摘要: 本发明提供了一种PEC性能良好的CoOx/BiVO4复合材料的制备,是将BiVO4薄膜浸泡于CoCl2溶液中,使Co2+达到吸附平衡;再将吸附有Co2+的BiVO4薄膜置于烘箱中干燥后置于马弗炉中,经高温煅烧,将CoOx纳米粒子成功载入BiVO4薄膜结构,使得n型BiVO4半导体构建成为p-n异质结,形成的CoOx/BiVO4复合材料具有虫状结构,这种虫状结构有效地抑制了光生载流子的复合,加速了电子和空穴的传输速率,因此具有优异的PEC活性,以其作为光电阳极材料用于析氢反应,表现出优异的光电化学分解水性能。