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公开(公告)号:CN118754693A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410981320.3
申请日:2024-07-22
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种新型核用高性能SiCf/SiC复合材料及其制备方法,涉及复合材料技术领域。所述方法包括得到二维SiCf/Ti‑Si‑C‑O纤维布;RMI工艺气相渗硅得到SiCf/Ti3SiC2界面相二维纤维布;将SiCf/Ti3SiC2界面相二维纤维布浸渍在浆料悬浮液中,得到SiCf/Ti3SiC2界面/TiC‑TiO2纤维布;定型得到SiCf/Ti3SiC2界面/TiC‑TiO2预制体;将SiCf/Ti3SiC2界面/TiC‑TiO2预制体包埋在AlSi合金粉末中,采用RMI工艺液相渗硅在真空炉中1250~1450℃保温30~60min,即得新型核用高性能SiCf/SiC复合材料。本发明采用气相与液相联合逐次渗硅工艺既可以解决当前核用SiCf/SiC复合材料气密性差、热导率低的问题,又可以进一步增强材料的抗辐照非晶化和损伤容限,提高SiCf/SiC复合材料在反应堆服役过程中的结构强度,提升反应堆设计的安全裕量。
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公开(公告)号:CN119462182A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411650949.6
申请日:2024-11-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/50 , C04B35/488 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种纳米级高熵A2B2O7型氧化物陶瓷粉体及其纳米陶瓷块体的制备方法,包括以下步骤:S1、将稀土元素源和过渡金属源均匀分散在去离子水中,在室温下搅拌处理,然后加入聚合剂和诱导剂,得到混合溶液;S2、在室温下继续搅拌处理以形成透明澄清溶液;S3、将透明澄清溶液升温至逐渐形成乳白色凝胶;S4、将乳白色凝胶烘干成干凝胶。本发明公开的一种纳米级高熵A2B2O7型氧化物陶瓷粉体及其纳米陶瓷块体的制备方法采用放电等离子体烧结结合两步法制备工艺,效率高,烧结致密,可以实现陶瓷块体材料晶粒尺寸的控制,且所合成的氧化物具有粉末粒径细小且分布均匀和杂质少等特点,且该方法合成温度低,成本较低。
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公开(公告)号:CN119462181A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411648779.8
申请日:2024-11-18
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/50 , C04B35/462 , C04B35/505 , C04B35/626 , C04B35/624 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种热障涂层用超高熵复相氧化物粉末材料的制备方法及其应用,包括以下步骤;S1、将稀土元素源和过渡金属元素源均匀分散于去离子水中,在80℃下搅拌处理,然后加入络合剂和分散剂,得到混合物A;S2、在80℃搅拌下,用氨水调节混合物A体系的pH为4~5,继续搅拌处理以形成凝胶,经干燥处理,得到干凝胶;S3、将干凝胶置于1400℃下烧结2h,得到超高熵复相氧化物粉末材料。本发明弥补了传统热障涂层YSZ材料的缺点,在1500℃附近仍能保持相稳定性,将热障涂层材料体系拓宽到超高熵复相陶瓷领域,且本发明材料元素分布均匀、粉末粒径较小且均匀、纯度高等特点,且该方法对设备要求低,合成方法简单。
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