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公开(公告)号：CN119843242A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510110740.9
申请日：2025-01-23
Applicant: 西北工业大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/52 , C23C16/448 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于固化硫调控的二维扭角MoS2及其制备方法，该方法采用化学气相沉积法，通过精确调控硫源的固化次数，成功制备出多层扭角MoS2材料。工艺简便、成本低廉，所制备的多层扭角MoS2具有均匀平整的表面，无二次成核点，材料质量高。这一方法对于实现扭角TMDCs的可控制备和大规模生产具有重要意义，并为二维扭角材料在光电器件中的应用奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN118776448A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410737461.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明专利公开了一种全位监测的柔性应变传感器，设置柔性衬底，所述的柔性衬底为管式结构；在所述柔性衬底的表面涂刷敏感层，形成第一电阻和第二电阻，所述的第一电阻的阻值大于第二电阻的阻值；且第一电阻和第二电阻分别位于柔性衬底纵切面的同一直径方向；所述敏感层分为两部分，上半部分为小电阻，下半部分为大电阻，不同的电阻通过控制刷涂层数来实现，分别刷涂于管状衬底表面的上部和下部，在正向弯曲和反向弯曲时的电阻变化率相反，可区分弯曲方向，所述银电极作为传感器的两个电极，并通过导线引出，所述封装层为柔性材料，用于封装敏感层和电极。本发明专利为弯曲方向识别及全向监测提供可行方案，制备工艺简单经济，高效实用。
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公开(公告)号：CN118583046A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410678817.8
申请日：2024-05-29
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种柔性应变传感器、阵列及制备方法，柔性应变传感器设置柔性衬底，在所述的柔性衬底上印刷应变层，应变层上印刷电极层；所述的电极层中的界面电阻块间隔覆盖在所述的应变层上。界面电阻块的引入可以有效提高柔性应变传感器的灵敏度。进一步，基于界面电阻块的思想设计并制备柔性应变传感器阵列，依次在柔性衬底上印刷应变敏感油墨，行电极层油墨，UV阻隔油墨和列电极层油墨。经干燥处理后，获得大面积柔性应变传感器阵列。
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公开(公告)号：CN114990523B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202210561461.0
申请日：2022-05-23
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2，二氧化硅/硅片为衬底，钨源和硫粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二维材料扭角WS2的生长；所述二维材料扭角WS2的生长容器为石英管，石英管内通入氩气作为运载气体；在所述的石英管内还设置了两端开口的石英试管，用于放置进行化学气相沉积的钨源和衬底；氩气的流量为50～180sccm；化学气相沉积的反应温度为750～850℃。该实验工艺简单，成本低廉，所制备的二维材料扭角WS2表面均匀平整、质量高，对于研究新型扭角光电子学及光电集成器件有重要的意义。
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公开(公告)号：CN113979477B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202111134476.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 西北工业大学
Abstract: ～1m/s。本发明中二维二硫化钼质量高、面积大，本发明公开了一种二硫化钼薄膜、制备方 可以图案化制备，可以避免材料被污染，所制备法、应用及柔性健康传感器，以二氧化硅/硅片为 的柔性应力传感器具有稳定性高，检测精度高，衬底；反应源和稳定剂于有机溶剂中混合形成旋 应变系数高，可以用于人体脉搏、呼吸、抖动等微涂液，旋涂液旋涂在衬底表面至有机溶剂蒸发得 弱信号的监测。到薄膜衬底；利用激光直写技术在薄膜衬底进行激光直写处理即得二维二硫化钼薄膜；所述的激(56)对比文件Heng Deng et al..Laser induced MoS2/carbon hybrids for hydrogen evolutionreaction catalysts.Journal of MaterialsChemistry A.2016,第4卷第6824–6830页.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113465795B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202110740623.2
申请日：2021-07-01
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01L1/22
Abstract: 本发明提供一种柔性压力传感结构及柔性压力传感器，解决了现有压阻式压力传感器灵敏度随压力增大而降低，稳定型较差的技术问题。该柔性压力传感结构包括导电薄膜以及分别粘接在所述导电薄膜上下表面且面面交错排布的上电极和下电极；柔性压力传感结构在受到压力时，导电薄膜沿与电极平面垂直的方向产生应变，使得电阻增大，即当压力施加在结构上时，上电极作用在导电薄膜上的应力会使薄膜穿过电极间的镂空部分(即间隙)，产生垂直于电极平面的应变，传感单元的电阻随压力的增大而增大。(56)对比文件束逸.基于新型微纳结构的柔性压力传感器基础研究《.中国博士学位论文全文数据库（电子期刊）信息科技辑I140-31》.2016,(第7期),全文.Emil R. Mamleyev等.Flexible Carbon-based Urea Sensor by Laser InducedCarbonisation of Polyimide《.2018International Flexible ElectronicsTechnology Conference (IFETC)》.2018,全文.Hiro Han等.PVDF film microfabrication for the robotics skin sensorhaving flexibility and high sensitivity.《2011 Fifth International Conference onSensing Technology》.2012,全文.Lang Zhou等.Large Scale ArrayVisible-Infrared Converter Based on Free-Standing Flexible CompositeMicrostructures《. 2019 20th InternationalConference on Solid-State Sensors,Actuators and Microsystems & EurosensorsXXXIII (TRANSDUCERS & EUROSENSORSXXXIII)》.2019,全文.
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公开(公告)号：CN113465665B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110722285.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 西北工业大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提供一种柔性集成传感器的制备方法，解决现有制备柔性传感器时使用有害试剂，对环境不友好且未能集成化以及卷对卷大批量加工的不足之处。包括以下步骤：1)敏感材料预处理，将敏感材料预处理为可固化导电溶液；2)制备敏感单元，2.1)在刚性基板旋涂牺牲层，将牺牲层进行固化；2.2)采用步骤1)得到的可固化导电溶液在牺牲层上制备敏感材料薄膜，并进行半固化处理；2.3)将半固化的敏感材料薄膜进行切割，获得敏感单元；3)制备柔性集成传感器，3.1)将步骤2)制备的敏感单元转移，对准贴附在预先加工好的电极上，并使敏感单元和电极紧密结合；3.2)去除牺牲层，将半固化的敏感材料薄膜完全固化，获得柔性集成传感器。
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公开(公告)号：CN116718486A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310596090.4
申请日：2023-05-24
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高温测试用柔性传感器夹具及上样工具，沿轴向对接设置固定端夹具和移动端夹具；所述的固定端夹具设置圆柱形的固定主体，固定主体的一端轴向对接设置延伸体，延伸体端部设置固定传感器夹头；所述的移动端夹具设置圆柱形的移动主体，移动主体的一端设置移动传感器夹头；移动主体的外径小于固定主体的外径，通过上样辅助环使移动主体和固体主体同轴。本发明可在1200℃高温下对柔性力学传感器进行静/动态弯曲和拉伸的应力应变测试，满足了高温柔性传感器在1200℃以下的高温性能测试需求，有助于高温柔性传感器的研发和应用。
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公开(公告)号：CN115404460B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202211072865.X
申请日：2022-09-02
Applicant: 西北工业大学宁波研究院
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G39/06
Abstract: 本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法，包括以MoO3，S粉为初级材料，采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料，所述的单根MoS2纳米管直径为80～200nm，通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管，Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂，无需再采用模板和特定前驱体结构设计，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管，所制备的纳米材料形态均一、结构性能稳定，可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器，场发射和锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN115595551A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211141781.7
申请日：2022-09-20
Applicant: 西北工业大学(CN)
Abstract: 本发明公开了一种高保真度2D TMDs的转移方法，包括以下步骤：步骤一：在生长衬底上沉积生成2D TMDs，2D TMDs上覆盖制备PMMA薄膜，去除PMMA薄膜边缘；步骤二：在步骤一得到的PMMA薄膜上覆盖制备PS薄膜，得到PS/PMMA/TMDs/衬底结构；步骤三：层间注水获得PS/PMMA/TMDs薄膜，将有2D TMDs的一面覆盖在目标衬底上，去除PS和PMMA即得。该方法适用于多种2D TMDs的转移，操作高效、快捷。转移后的材料具有结晶质量高、结构完整、表面干净等特点，利于后续制备基于TMDs垂直堆叠的vdW异质结以及基于柔性衬底的器件加工。
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