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公开(公告)号：CN106119968B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610556029.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Zn(1‑x)MnxTe单晶体的制备方法，用于解决现有ZnMnTe单晶体的制备方法复杂的技术问题。技术方案是将单质金属Zn、Mn、Te原料真空封装在镀碳膜石英坩埚中，然后在摇摆炉中合料，合料完成后装入晶体生长炉，在一定的温度场、降温速率和坩埚下降速率下，实现无籽晶条件下晶体生长。该方法结合生长晶炉温场、降温速率和坩埚下降速率进行设计，使晶体生长初期自由引晶，之后逐步降低熔体温度，使熔液维持适宜的过饱和状态，以保证晶体生长的连续稳定进行，最后采用合适的降温过程来对晶体进行原位退火以控制裂纹的产生。由于晶料的合成与生长在同一坩埚中进行，无需预先合成ZnTe和MnTe，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN105063741B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510468818.0
申请日：2015-08-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnTe单晶体的制备方法，用于解决现有方法制备的ZnTe单晶体尺寸小的技术问题。技术方案是首先对石英坩埚进行处理，并在石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。将单质Zn和Te装入处理好的石英坩埚中并真空封装。将真空封装好的石英坩埚装入摇摆炉中，使用阶梯升温、摇摆，使融化的单质Zn和Te充分混合，摇摆结束后保温，之后炉冷至室温。对上下炉体升温到预设的目标温度后进行保温，后下降石英坩埚进行晶体选晶生长，晶体生长一段时间后，对上下炉体同时同速率降温，晶体生长结束，降温退火后关闭电源进行炉冷。本发明通过对长晶炉温场、降温速率和石英坩埚下降速率进行控制，在无籽晶条件下制备出了大尺寸ZnTe单晶体。
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公开(公告)号：CN106119968A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610556029.7
申请日：2016-07-14
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Zn(1‑x)MnxTe单晶体的制备方法，用于解决现有ZnMnTe单晶体的制备方法复杂的技术问题。技术方案是将单质金属Zn、Mn、Te原料真空封装在镀碳膜石英坩埚中，然后在摇摆炉中合料，合料完成后装入晶体生长炉，在一定的温度场、降温速率和坩埚下降速率下，实现无籽晶条件下晶体生长。该方法结合生长晶炉温场、降温速率和坩埚下降速率进行设计，使晶体生长初期自由引晶，之后逐步降低熔体温度，使熔液维持适宜的过饱和状态，以保证晶体生长的连续稳定进行，最后采用合适的降温过程来对晶体进行原位退火以控制裂纹的产生。由于晶料的合成与生长在同一坩埚中进行，无需预先合成ZnTe和MnTe，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN105063741A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510468818.0
申请日：2015-08-04
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnTe单晶体的制备方法，用于解决现有方法制备的ZnTe单晶体尺寸小的技术问题。技术方案是首先对石英坩埚进行处理，并在石英坩埚内壁上沉积一层碳膜。将单质Zn和Te装入处理好的石英坩埚中并真空封装。将真空封装好的石英坩埚装入摇摆炉中，使用阶梯升温、摇摆，使融化的单质Zn和Te充分混合，摇摆结束后保温，之后炉冷至室温。对上下炉体升温到预设的目标温度后进行保温，后下降石英坩埚进行晶体选晶生长，晶体生长一段时间后，对上下炉体同时同速率降温，晶体生长结束，降温退火后关闭电源进行炉冷。本发明通过对长晶炉温场、降温速率和石英坩埚下降速率进行控制，在无籽晶条件下制备出了大尺寸ZnTe单晶体。
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