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公开(公告)号:CN118957746A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411034018.3
申请日:2024-07-30
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开一种微米SiC空心管及其制备方法和应用,该方法将二维碳材料间隔排列固定于气相沉积设备中,通入硅碳前驱体进行气相沉积,制得负载有SiC的二维碳材料;然后在空气气氛中,对所述负载有SiC的二维碳材料进行热处理,制得所述微米SiC空心管。本发明通过气相沉积和热处理两步法,可以精确控制SiC空心管的形貌和结构,微米SiC空心管可以提供更多的活性位点,提高催化效率,其大比表面积有利于吸附和分离气体或液体中的目标物质,因此,本发明中的方法操作简单、设计合理,有效得到微米级的SiC空心管。
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公开(公告)号:CN118147609A
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN202410265424.4
申请日:2024-03-08
Applicant: 西北工业大学
Abstract: 本发明公开一种低压化学气相渗透/沉积液态前驱体自动补给系统,该系统中设置用于储存前驱体的前驱体储存罐以及用于当前驱体储存罐中前驱体不足时用于补给的前驱体补给罐,在补给过程中,通过第一液位传感器和第二液位传感器对前驱体储存罐以及前驱体补给罐内部的液体液位进行监控,同时将监控结果反馈给PLC控制器,PLC控制器通过监测结果控制电动可通断组件的通断,实现前驱体储存罐中液体的补给。该系统结构简单,设计合理,有效避免低压化学气相渗透/沉积制备过程中使用的危险及有毒前驱体与空气或人接触产生的危害,同时,自动控制过程,避免了实验的临时中断,提高渗透/沉积工艺的稳定性,且具有低成本,制备方便及高安全性的优点。
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公开(公告)号:CN119080518A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411257889.1
申请日:2024-09-09
Applicant: 西北工业大学
IPC: C04B35/66 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种用于氧化/烧蚀防护的硅化物高温陶瓷涂层及其制备方法,属于高温防护涂层制备技术领域。该方法如下:将碳基体材料放入化学气相沉积炉的反应室内,后抽真空处理,将过渡金属元素氯化物置于固态前驱体气化炉内,待化学气相沉积炉达到设定温度后,对过渡金属元素氯化物进行加热气化;加热SiCl4罐并向SiCl4罐中通入载气H2,向固态前驱体气化炉中通入载气H2,气化后的SiCl4和过渡金属元素氯化物被载气H2带入到混气罐中充分混合,后通入化学气相沉积炉的反应室中,通入氩气;在碳基体材料的表面进行沉积,沉积完成后关闭通入气体,在氩气保护下降温后随炉自然冷却至室温,获得硅化物高温陶瓷涂层。本发明采用化学气相沉积技术,在SiCl4‑过渡金属元素氯化物‑H2‑Ar这一特定的沉积体系下制备硅化物陶瓷防护涂层。
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