公开(公告)号：CN101903779B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880122223.8

申请日：2008-12-19

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： J-M·卡龙 ,  V·拉戈

IPC: G01C19/5691 ,  G01C25/00

CPC classification number: G01C19/5691 ,  G01C25/005

Abstract: 校正电容性构件的增益的方法，所述电容性构件包括能彼此相对移动的电极，该方法包括以下步骤：向电极之一连续施加减小的偏压(10、12)，这些偏压具有相反符号和低于阈值的相同值(ε)，从而能够测量由这些减小的偏压产生的剩余场；对来自该电容性构件的输出信号(11、13)进行相应测量；计算平均值(14)；以及作为所测得的输出信号的函数来对该电容性单元的增益进行校正(19)。

公开(公告)号：CN101903779A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880122223.8

申请日：2008-12-19

Applicant: 萨甘安全防护公司

Inventor： J-M·卡龙 ,  V·拉戈

IPC: G01P15/13 ,  G01C19/56

CPC classification number: G01C19/5691 ,  G01C25/005

Abstract: 校正电容性构件的增益的方法，所述电容性构件包括能彼此相对移动的电极，该方法包括以下步骤：向电极之一连续施加减小的偏压(10、12)，这些偏压具有相反符号和低于阈值的相同值(ε)，从而能够测量由这些减小的偏压产生的剩余场；对来自该电容性构件的输出信号(11、13)进行相应测量；计算平均值(14)；以及作为所测得的输出信号的函数来对该电容性单元的增益进行校正(19)。