公开(公告)号：CN102543952A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110437046.6

申请日：2011-12-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J.博伊克 ,  R.拉奇纳 ,  T.迈耶 ,  H.谢弗

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。

公开(公告)号：CN102543952B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201110437046.6

申请日：2011-12-23

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J.博伊克 ,  R.拉奇纳 ,  T.迈耶 ,  H.谢弗

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L22/14 ,  H01L22/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。公开了用于在封装半导体器件之后提供熔融的方法和系统。在一个实施例中，提供了一种半导体器件，其包括：包括熔丝区域的衬底，布置在熔丝区域中的至少一个熔丝，和布置在衬底之上的至少一个层，其中所述至少一个层包括暴露所述至少一个熔丝的至少一个开口。