公开(公告)号：CN106463354B

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201480079231.4

申请日：2014-06-25

申请人： 英特尔公司

发明人： R·T·埃尔赛义德 ,  N·戈埃尔 ,  S·E·布-加扎利 ,  R·J·阿克萨米特

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768

摘要： 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺，例如使用电子束直接写入(EBDW)和极紫外光刻(EUVL)形成阵列中的单元的边界来形成功能单元的紧凑阵列的技术。单元的紧凑阵列可以用于被配置有逻辑单元的现场可编程门阵列(FPGA)结构、被配置有位单元的静态随机存取存储器(SRAM)结构、或具有基于单元的结构的其它存储器或逻辑器件。技术可以用于例如针对功能单元阵列得到百分之10到50的面积减小，这是因为与常规193nm光刻相比，NGL工艺允许单元边界的较高精度和较近的切口。此外，使用NGL工艺形成单元的边界还可以减少在其它情况下利用常规193nm光刻将呈现的光刻引起的变化。

公开(公告)号：CN106463354A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480079231.4

申请日：2014-06-25

申请人： 英特尔公司

发明人： R·T·埃尔赛义德 ,  N·戈埃尔 ,  S·E·布-加扎利 ,  R·J·阿克萨米特

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768

摘要： 公开了用于使用下一代光刻(NGL)工艺，例如使用电子束直接写入(EBDW)和极紫外光刻(EUVL)形成阵列中的单元的边界来形成功能单元的紧凑阵列的技术。单元的紧凑阵列可以用于被配置有逻辑单元的现场可编程门阵列(FPGA)结构、被配置有位单元的静态随机存取存储器(SRAM)结构、或具有基于单元的结构的其它存储器或逻辑器件。技术可以用于例如针对功能单元阵列得到百分之10到50的面积减小，这是因为与常规193nm光刻相比，NGL工艺允许单元边界的较高精度和较近的切口。此外，使用NGL工艺形成单元的边界还可以减少在其它情况下利用常规193nm光刻将呈现的光刻引起的变化。