公开(公告)号：CN102473709B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080028743.X

申请日：2010-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·斯特格沃德 ,  N·林德特 ,  S·J·凯廷 ,  C·J·杰泽斯基 ,  T·E·格拉斯曼

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 描述了用于形成具有带内陷电极的MIM电容器的存储器设备。在一个实施例中，用于形成带内陷电极的MIM电容器的方法包括：形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，而上部部分形成挖空特征物的侧壁。该方法包括：在特征物上沉积下部电极层，在下部电极层上沉积电绝缘层，以及在电绝缘层上沉积上部电极层，从而形成MIM电容器。该方法包括：移除MIM电容器的上部部分以暴露电极层的上表面，并随后选择性地蚀刻电极层中的一个以使得电极层中的一个内陷。该内陷操作使电极彼此隔离，并减少了电极之间漏电通路的可能性。

公开(公告)号：CN102473709A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080028743.X

申请日：2010-11-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： J·M·斯特格沃德 ,  N·林德特 ,  S·J·凯廷 ,  C·J·杰泽斯基 ,  T·E·格拉斯曼

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 描述了用于形成具有带内陷电极的MIM电容器的存储器设备。在一个实施例中，用于形成带内陷电极的MIM电容器的方法包括：形成由下部部分和上部部分所界定的挖空特征物，其中下部部分形成挖空特征物的底部，而上部部分形成挖空特征物的侧壁。该方法包括：在特征物上沉积下部电极层，在下部电极层上沉积电绝缘层，以及在电绝缘层上沉积上部电极层，从而形成MIM电容器。该方法包括：移除MIM电容器的上部部分以暴露电极层的上表面，并随后选择性地蚀刻电极层中的一个以使得电极层中的一个内陷。该内陷操作使电极彼此隔离，并减少了电极之间漏电通路的可能性。