公开(公告)号：CN101208786B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200680023335.9

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·T·博赫 ,  S·J·凯廷 ,  T·A·雷特森 ,  A·S·莫西 ,  D·W·奥尼尔 ,  W·瑞驰梅迪

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/30608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： 实施例是改进的晶体管结构及该结构的制造方法。具体地，实施例的湿法蚀刻形成具有改进的尖端形状的源和漏区，以通过改进短沟道效应的控制、增加饱和电流、改进冶金栅长度的控制、增加载流子迁移率并减小源和漏及硅化物之间的界面处的接触电阻来改进晶体管的性能。

公开(公告)号：CN101208786A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023335.9

申请日：2006-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： M·T·博赫 ,  S·J·凯廷 ,  T·A·雷特森 ,  A·S·莫西 ,  D·W·奥尼尔 ,  W·瑞驰梅迪

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/30608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： 实施例是改进的晶体管结构及该结构的制造方法。具体地，实施例的湿法蚀刻形成具有改进的尖端形状的源和漏区，以通过改进短沟道效应的控制、增加饱和电流、改进冶金栅长度的控制、增加载流子迁移率并减小源和漏及硅化物之间的界面处的接触电阻来改进晶体管的性能。