去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法

    公开(公告)号:CN102569519B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201210018071.5

    申请日:2012-01-19

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法,背场结构位于硅片的第一表面,包括步骤在硅片的第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜;在硅片第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿第一表面至第二表面的过料孔;在硅片上与指定位置相对的第一指定区域由第二激光去除第一预设深度的硅层;对去硅层后的硅片进行印刷、烧结工序,形成MWT太阳能电池片。通过在硅片的第一表面和第二表面形成SiNX膜,有激光生成打料孔和去除背场上硅层的工作,实现了对背场的去除,同时生成打料孔和去除背场的工艺过程均通过激光来实现,简化了带有背场的MWT电池的去除背场工艺。

    一种双面发电太阳能电池的测量方法

    公开(公告)号:CN102830364A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210307743.4

    申请日:2012-08-27

    IPC分类号: G01R31/36

    摘要: 本申请提供了一种双面发电太阳能电池的测量方法,包括测试系统与双面发电太阳能电池,所述测试系统包括第一探针和第二探针;所述双面发电太阳能电池包括受光面与非受光面;该方法包括:将所述受光面与所述第一探针欧姆接触;将所述非受光面置于黑暗环境中,且与所述第二探针欧姆接触。本申请所提供的双面发电太阳能电池的测量方法中,在保证所述双面发电太阳能电池与所述测试系统良好接触的基础上,将所述双面发电太阳能电池的非受光面置于黑暗环境中,从而避免了由于所述双面发电太阳能电池的非受光面也接收到一定的光照射,而对所述双面发电太阳能电池的电参数性能带来的影响,进而提高了所述双面发电太阳能电池的电参数测量的准确性。

    一种双面发电太阳能电池的测量方法

    公开(公告)号:CN102830364B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201210307743.4

    申请日:2012-08-27

    IPC分类号: G01R31/36

    摘要: 本申请提供了一种双面发电太阳能电池的测量方法,包括测试系统与双面发电太阳能电池,所述测试系统包括第一探针和第二探针;所述双面发电太阳能电池包括受光面与非受光面;该方法包括:将所述受光面与所述第一探针欧姆接触;将所述非受光面置于黑暗环境中,且与所述第二探针欧姆接触。本申请所提供的双面发电太阳能电池的测量方法中,在保证所述双面发电太阳能电池与所述测试系统良好接触的基础上,将所述双面发电太阳能电池的非受光面置于黑暗环境中,从而避免了由于所述双面发电太阳能电池的非受光面也接收到一定的光照射,而对所述双面发电太阳能电池的电参数性能带来的影响,进而提高了所述双面发电太阳能电池的电参数测量的准确性。

    一种MWT太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN102800762B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201210319654.1

    申请日:2012-08-31

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种MWT太阳能电池的制作方法,该方法包括:提供一待印刷电池片;对所述电池片背光面进行丝网印刷,形成过孔电极、正面电极接触点以及背面电极;烘干,对所述电池片正面进行丝网印刷,形成正面电极。通过本申请所述技术方案可知,本申请在制作MWT太阳能电池时通过2次丝网印刷工序、以及两次烘干工序即可完成MWT太阳能电池的电极印刷,相比于现有技术手段减少了一次丝网印刷及一次烘干工序,工艺简单,提高了生产效率。

    双面发电MWT太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN102593257A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210056939.0

    申请日:2012-03-06

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明实施例公开了一种双面发电MWT太阳能电池的制备方法,该方法包括:在硅片上表面形成PN结,在其下表面形成背场;采用激光在所述硅片的预设位置处打孔;采用丝网印刷工艺将腐蚀性材料印刷在激光所打孔的周围的预设范围内;对所述腐蚀性材料进行烘干;对所述硅片进行清洗。采用本发明所提供的方法制备双面发电太阳能电池时,在去除背场的同时还去除了因激光打孔而造成的损伤层,且简化了工艺流程,有利于成本控制。

    晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法

    公开(公告)号:CN102593241A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210017809.6

    申请日:2012-01-19

    IPC分类号: H01L31/18 C30B33/12

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法,用于去除经扩散工序后在硅片边缘形成的扩散层,包括步骤:生成耐碱薄膜层于硅片的上表面和下表面;使用第一预设浓度的碱溶液以第一预设温度清洗具有耐碱薄膜层的硅片第一预设时间;将碱洗后的硅片置于第二预设浓度的盐酸中以第二预设温度酸洗第二预设时间;使用第三预设温度的去离子水清洗酸洗后的硅片第三预设时间;对清洗后的硅片进行去离子水提拉清洗,并烘干。硅片上下表面均形成一层耐碱薄膜层,对硅片进行碱溶液清洗,碱溶液对硅片的边缘未覆盖耐碱薄膜层的部分进行碱溶液清洗,去除了边缘部分形成的扩散层,而不会对硅片的表面部分造成损伤。本发明还提供了一种晶硅太阳能电池。

    去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法

    公开(公告)号:CN102569519A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210018071.5

    申请日:2012-01-19

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法,背场结构位于硅片的第一表面,包括步骤在硅片的第一表面和第二表面均形成一层SiNX膜;在硅片第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿第一表面至第二表面的过料孔;在硅片上与指定位置相对的第一指定区域由第二激光去除第一预设深度的硅层;对去硅层后的硅片进行印刷、烧结工序,形成MWT太阳能电池片。通过在硅片的第一表面和第二表面形成SiNX膜,有激光生成打料孔和去除背场上硅层的工作,实现了对背场的去除,同时生成打料孔和去除背场的工艺过程均通过激光来实现,简化了带有背场的MWT电池的去除背场工艺。

    一种MWT太阳能电池的制作方法

    公开(公告)号:CN102800762A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210319654.1

    申请日:2012-08-31

    IPC分类号: H01L31/18

    CPC分类号: Y02P70/521

    摘要: 本发明公开了一种MWT太阳能电池的制作方法,该方法包括:提供一待印刷电池片;对所述电池片背光面进行丝网印刷,形成过孔电极、正面电极接触点以及背面电极;烘干,对所述电池片正面进行丝网印刷,形成正面电极。通过本申请所述技术方案可知,本申请在制作MWT太阳能电池时通过2次丝网印刷工序、以及两次烘干工序即可完成MWT太阳能电池的电极印刷,相比于现有技术手段减少了一次丝网印刷及一次烘干工序,工艺简单,提高了生产效率。