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1.

发明授权
发光器件有权转让

公开(公告)号：CN110383509B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN201780076015.8

申请日：2017-12-06

申请人： 苏州立琻半导体有限公司

发明人： 黄盛珉 , 朴鲜雨 , 李昌炯

IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/10 , F21K9/00 , F21Y115/10

摘要： 本发明的实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装和照明装置。根据实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；钝化层，该钝化层被布置在发光结构上；以及绝缘反射层，该绝缘层被布置在钝化层上。钝化层可以包括在发光结构的上表面上布置的第一区域，以及在第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和有源层的侧表面上布置的第二区域。绝缘反射层可以被布置在第一区域上，并且绝缘反射层的端部可以被布置成与第一区域的端部分开。