一种量子点电致发光二极管、发光装置

    公开(公告)号:CN115312670A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202110514426.9

    申请日:2021-05-08

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54

    摘要: 本申请提供一种量子点电致发光二极管,包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、第一层电致发光层至第n层电致发光层、空穴传输层和阳极,n为整数,且n≥2;其中,第一层电致发光层至第n层电致发光层中的至少一层包含第一量子点,所述第一量子点包含核体、ZnS1‑xOx表面壳层,0<x≤1;本申请的第一量子点不仅可以有效提升量子点电致发光二极管的电流效率、亮度和外量子效率,还能使量子点电致发光二极管获得较长的使用寿命。

    一种量子点的制备方法、由其制备的量子点及其应用

    公开(公告)号:CN115109579A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202110297402.2

    申请日:2021-03-19

    IPC分类号: C09K11/02 C09K11/88

    摘要: 一种量子点的制备方法,所述量子点为核壳结构,形成量子点核的第一阳离子前驱体为RZnX,其中,R为脂肪族链段或芳香族链段,X为卤素原子。本申请形成量子点核的第一阳离子前驱体RZnX,RZnX中Zn原子的一端通过共价键与R相连、另一端通过离子键与卤素原子相连,活性适中,形成的量子点粒径分布窄,半峰宽小,量子产率高,此外,本发明还可以通过控制R的链长和/或卤素原子的类型调节第一阳离子前驱体的活性,从而有利于制备出不同波长的量子点;此外,本申请的制备方法操作简便、反应所需时间短、效率高,满足量子点规模化生产的需要。

    电致无镉量子点及其制备方法、发光二极管

    公开(公告)号:CN113061436B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202110240674.9

    申请日:2021-03-04

    摘要: 本发明公开了一种电致无镉量子点的制备方法,包括如下步骤:提供具有第一壳层的量子点本体、复合前驱体,在180‑320℃下,再加入阴离子前驱体,得到所述电致无镉量子点;其中,所述复合前驱体由阳离子前驱体和硫醇类前体混合得到。本发明的制备方法,在具有第一壳层的量子点本体外包覆了由锌前体和硫醇前体制备得到的复合前驱体,从而形成稳定保护层,提升了量子点的寿命;并且再加入导电性良好的阴离子前驱体,还可以增加量子点的导电性,从而确保可以采用本发明的量子点制备得到能够同时实现高性能和长寿命的量子点发光二极管。

    电致无镉量子点及其制备方法、发光二极管

    公开(公告)号:CN113061436A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110240674.9

    申请日:2021-03-04

    摘要: 本发明公开了一种电致无镉量子点的制备方法,包括如下步骤:提供具有第一壳层的量子点本体、复合前驱体,在180‑320℃下,再加入阴离子前驱体,得到所述电致无镉量子点;其中,所述复合前驱体由阳离子前驱体和硫醇类前体混合得到。本发明的制备方法,在具有第一壳层的量子点本体外包覆了由锌前体和硫醇前体制备得到的复合前驱体,从而形成稳定保护层,提升了量子点的寿命;并且再加入导电性良好的阴离子前驱体,还可以增加量子点的导电性,从而确保可以采用本发明的量子点制备得到能够同时实现高性能和长寿命的量子点发光二极管。

    一种惰性气体处理装置及制作方法

    公开(公告)号:CN111422839A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010331189.8

    申请日:2020-04-24

    IPC分类号: C01B23/00 B01D53/82 B01D53/46

    摘要: 本申请提供一种惰性气体处理装置,其包括反应柱,包括柱体、在所述柱体内自下而上依次设置的玻璃棉层和活泼金属层;第一接口,所述第一接口用于将所述惰性气体引入所述柱体;以及,第二接口,所述第二接口用于从所述柱体引出所述惰性气体。惰性气体通过第一接口进入反应柱,在反应柱中经过活泼金属层处理,惰性气体中的水氧与活泼金属反应形成活泼金属氧化物、活泼金属氢氧化物,从而使从第二接口引出的惰性气体中水氧含量极低,利于后续实验的顺利开展,获得准确实验结果,本申请的惰性气体处理装置的制作方法工艺简单、成本低廉,重复性好,利于规模化制备。

    一种ZnSe(Te)量子点及其制备方法、电致发光器件

    公开(公告)号:CN117126669A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202210542204.2

    申请日:2022-05-18

    IPC分类号: C09K11/88 C09K11/02

    摘要: 本发明公开了一种ZnSe(Te)量子点,包括量子点核,所述量子点核包括掺杂在所述量子点核中的卤素离子X‑,所述量子点核包括阳离子和阴离子,所述卤素离子X‑与所述阳离子相结合。本申请通过在ZnSe(Te)量子点的核中掺杂卤素X,获得了荧光发射波长在430nm以上的ZnSe量子点、荧光发射波长在480nm以上的ZnSeTe量子点,量子点的量子效率高(≥75%),可以在多领域进行应用。此外,本申请的制备方法操作简便、反应所需时间短、效率高,满足量子点规模化生产的需要。