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公开(公告)号：CN116470468A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310248562.7
申请日：2023-03-15
Applicant: 苏州市职业大学(苏州开放大学) , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明是高可靠欠压保护电路，该欠压保护电路的：电压采样采用电阻串联的无反馈控制的结构，避免由于反馈开关噪声的不稳定问题；欠压保护参考电压采用带隙基准电压实现，避免芯片工作温度不稳定造成的影响；输出整形电路采用施密特触发器和反相器组合防干扰与整形，以滤除噪声的影响，产生高精度稳定可靠的欠压保护输出信号。本发明电路用于GaN驱动芯片里，能有效解决欠压保护电路中由于反馈回路造成的开关噪声引起的电路不稳定问题，避免了芯片工作温度不稳定造成的影响，滤除了噪声的影响，产生稳定可靠的欠压保护输出信号，达到保护驱动电路的目的。
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公开(公告)号：CN116455370A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310155791.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 苏州市职业大学(苏州开放大学) , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/16 , H02M1/44 , H03K17/687
Abstract: 本发明是EMI可调整的自适应负载输出驱动电路，包括若干组驱动电路，驱动电路的负载上沿连接有短脉冲采样电路，用于对其电压采样，短脉冲采样电路的输出端连接高速比较电路的信号输入端，用于将采样电压经若干个不同阈值的比较器后，获得对应位数温度计码，高速比较电路的输出端通过同步电路连接温度计码解码电路和锁存电路，用于对温度计码解码并锁存有效信号，锁存电路连接负载识别电路，负载识别电路根据锁存的有效信号识别生成负载判断信号，来控制各组驱动电路中主驱动通道的导通与关闭。本发明电路可用于GaN驱动芯片中，使驱动晶体管尺寸随着负载大小的变化而变化，达到驱动负载上沿时间基本恒定的目的，降低EMI辐射的同时，提高输出效率。
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公开(公告)号：CN113098456A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115389893A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210966795.6
申请日：2022-08-12
Applicant: 苏州市职业大学 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明是一种负压检测电路，采用带隙基准电压比较器结构，应用于GaN半桥驱动电路中，为了解决驱动电路负压的影响，抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路，使充电时间避开负压时间，高侧负压检测电路采用带隙基准比较器，将带隙基准和电压比较器结合在一起，受温度的影响小，由于使用电流比较，速度快，可以有效避免高侧浮动电源轨的影响。
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公开(公告)号：CN113098456B
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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公开(公告)号：CN113098471A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN115189690A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210966701.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 苏州市职业大学 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/017 , H03K19/00
Abstract: 本发明是一种电容负载降压电平移位电路，采用电容负载结构，应用于GaN半桥驱动电路中，为了解决驱动电路负压的影响，抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路，使充电时间避开负压时间，降压电平移位电路采用电容负载，窄脉冲控制高侧移位电路的输入，高侧延时电路控制电容充放电回路，可以有效降低共模干扰，有效地保护GaN器件，使其栅压控制在正常工作范围内，避免负压对GaN器件的损坏，并且转换速度快、功耗低。
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公开(公告)号：CN113098471B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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