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    一种改进的差分架构ETOXflash存储单元
    1.
    发明公开
    一种改进的差分架构ETOXflash存储单元 无效

    公开(公告)号：CN103745749A

    公开(公告)日：2014-04-23

    申请号：CN201310723129.0

    申请日：2013-12-25

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  张其笑 ,  姜伟 ,  李有忠 ,  李二亮

    IPC分类号： G11C16/26

    摘要： 本发明公开了一种改进的差分架构ETOX？flash存储单元，包括浮栅晶体管M1和浮栅晶体管M2，M1和M2的上面是源线SL控制电路模块，M1和M2的下面是位线BL控制电路模块和灵敏放大电路模块，M1和M2的源极分别作为存储单元的两根源线SL1、SL2；M1和M2的漏极分别作为存储单元的两根位线BL1、BL2；M1和M2的第二层栅极作为存储单元的控制栅CG。本发明采用差分对称结构，每条支路由一个传统ETOX？flash单元组成，两条支路的位线作为一组差分对输入到灵敏放大器中，然后对比读出数据。本发明采用差分架构，有效地扩大了读操作时的可区分电流范围，存储单元支路的阻抗匹配更好，稳定性更高。

    一种改进的差分架构XPM存储单元
    2.
    发明公开
    一种改进的差分架构XPM存储单元 无效

    公开(公告)号：CN103680631A

    公开(公告)日：2014-03-26

    申请号：CN201310723037.2

    申请日：2013-12-25

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 李力南 ,  翁宇飞 ,  姜伟 ,  张其笑

    IPC分类号： G11C16/26

    摘要： 本发明公开了一种改进的差分架构XPM存储单元，包括两条支路，所述每条支路包括MOS场效应晶体管和MOS数据存储元件，所述MOS场效应晶体管栅极，栅极的栅介质和栅介质下面的第1和第2掺杂半导体区，所述第1和第2掺杂半导体区分别作为MOS管的源极和漏极，所述MOS数据存储元件有一个导电结构即所述MOS管的栅极，导电结构下面的一层超薄介质，导电结构下面的第1掺杂半导体区。本发明采用差分架构，有效的扩大了读操作时的可区分电流，采用对称差分架构，存储单元的支路阻抗匹配更好，稳定性更高。

    一种防腐钢涂层材料及其制备方法
    3.
    发明授权
    一种防腐钢涂层材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104497722B

    公开(公告)日：2017-01-04

    申请号：CN201410766320.8

    申请日：2014-12-15

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  李力南 ,  姜伟

    IPC分类号： C09D123/06 ,  C09D127/08 ,  C09D171/08 ,  C09D5/08 ,  C09D7/12

    摘要： 本发明公开了一种防腐钢涂层材料及其制备方法，该防腐钢涂层材料，由包含以下重量份的组分制成：聚乙烯70-74份、聚偏二氯乙烯8-12份、聚乙二醇8-10份、三氧化二铝5-8份、碳纳米管2-3份、三聚磷酸钠1.5-2.8份、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷1-2.5份和三氧化二铬1-2份。本发明还提供了一种防腐钢涂层材料的制备方法，包括以下步骤：（1）称取聚乙烯70-74份、聚偏二氯乙烯8-12份和聚乙二醇8-10份，混合均匀，在80-100℃下，反应0.5-1小时；2）将步骤1的产物的pH调节到5.5-6，加入三氧化二铝5-8份、碳纳米管2-3份、三聚磷酸钠1.5-2.8份、N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基甲基二甲氧基硅烷1-2.5份和三氧化二铬1-2份，导入均质机中，混合20-40分钟，得到防腐钢涂层材料。

    一种改善灵敏放大器负偏压温度不稳定性的恢复电路
    4.
    发明公开
    一种改善灵敏放大器负偏压温度不稳定性的恢复电路 无效

    公开(公告)号：CN104579300A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201410803600.1

    申请日：2014-12-23

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  李力南 ,  姜伟

    IPC分类号： H03K19/003 ,  G11C7/06

    摘要： 本发明是一种改善灵敏放大器负偏压温度不稳定性的恢复电路，包括一个SRAM灵敏放大器单元、以及一个NBTI效应恢复单元，所述SRAM灵敏放大器单元包括位线BLB、位线BL、预充电信号端Precharge、以及两个PMOS晶体管和三个NMOS晶体管，所述NBTI效应恢复单元包括所述反相器INV、第三PMOS晶体管M6、以及恢复单元信号输入端IN。本发明降低了NBTI效应对灵敏放大器电路的影响，提高了灵敏放大器电路的性能与可靠性，降低了电路功耗，提高存储器整体稳定性，增强了存储器的存取性能。

    一种电极材料及其制备方法
    5.
    发明授权
    一种电极材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104465077B

    公开(公告)日：2017-08-29

    申请号：CN201410768447.3

    申请日：2014-12-15

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  李力南 ,  姜伟

    IPC分类号： H01G4/008

    摘要： 本发明公开了一种电极材料及其制备方法，该电极材料，包括基底层、外层三氧化钨薄膜和位于基底层和外层之间的中间层材料；所述中间层材料由包含以下重量份的组分制成：石墨20‑30份、Al2O34‑5份、Pb3O42‑2.5份、TiO21‑1.2份、PVA2‑3份、CeO20.8‑1.2份、Bi2O30.6‑1份、La2O30.05‑0.5份。本发明还提供了一种电极材料的制备方法，包括如下步骤：（1）在氢气、1200‑1300℃条件下加热5分钟去除基底层表面氧化物层，将基底层表面涂抹中间层材料，700‑800℃条件下加热1‑3小时，加热将样品迅速冷却至室温；（2）将Na2WO4﹒2H2O溶于草酸溶液中，将步骤1的样品浸入上述溶液中，在180‑200℃下加热反应12小时；（3）将第二步反应得到的样品用清水清洗、干燥后，得到电极材料。

    一种电极材料及其制备方法
    7.
    发明公开
    一种电极材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN104465077A

    公开(公告)日：2015-03-25

    申请号：CN201410768447.3

    申请日：2014-12-15

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  李力南 ,  姜伟

    IPC分类号： H01G4/008

    摘要： 本发明公开了一种电极材料及其制备方法，该电极材料，包括基底层、外层三氧化钨薄膜和位于基底层和外层之间的中间层材料；所述中间层材料由包含以下重量份的组分制成：石墨20-30份、Al2O34-5份、Pb3O42-2.5份、TiO21-1.2份、PVA2-3份、CeO20.8-1.2份、Bi2O30.6-1份、La2O30.05-0.5份。本发明还提供了一种电极材料的制备方法，包括如下步骤：（1）在氢气、1200-1300℃条件下加热5分钟去除基底层表面氧化物层，将基底层表面涂抹中间层材料，700-800℃条件下加热1-3小时，加热将样品迅速冷却至室温；（2）将Na2WO4﹒2H2O溶于草酸溶液中，将步骤1的样品浸入上述溶液中，在180-200℃下加热反应12小时；（3）将第二步反应得到的样品用清水清洗、干燥后，得到电极材料。

    一种改进的差分架构SONOSFlash存储单元
    9.
    发明公开
    一种改进的差分架构SONOSFlash存储单元 无效

    公开(公告)号：CN103745748A

    公开(公告)日：2014-04-23

    申请号：CN201310723107.4

    申请日：2013-12-25

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  姜伟 ,  张其笑 ,  胡玉青 ,  李二亮

    IPC分类号： G11C16/26

    摘要： 本发明公开了一种改进的差分架构SONOSFlash存储单元，包括两个完全相同的SONOS晶体管M1和M2，所述M1和M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线，所述M1和M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2，所述M1和M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2。本发明采用差分架构，有效地扩大了读操作时的可区分电流范围，存储单元支路的阻抗匹配更好，稳定性更高。

    一种改善电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路
    10.
    发明公开
    一种改善电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路 无效

    公开(公告)号：CN104579308A

    公开(公告)日：2015-04-29

    申请号：CN201410803632.1

    申请日：2014-12-23

    申请人： 苏州宽温电子科技有限公司

    发明人： 翁宇飞 ,  李力南 ,  姜伟

    IPC分类号： H03K19/094

    摘要： 本发明是一种改善电平转换电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，包括一个电平转换电路以及一个NBTI效应恢复单元：所述电平转换电路主要由第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一反相器INV1组成，所述NBTI效应恢复单元主要由第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第二反相器INV2和恢复信号输入端RM组成。采用本发明技术方案，有效抑制了PMOS管阈值电压的负向漂移，提高了电平转换电路的性能与可靠性，并且有效抑制了漏电流，改善了电平转换电路的静态功耗。