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公开(公告)号:CN107629098A
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201710895130.X
申请日:2017-09-28
Applicant: 苏州大学
IPC: C07H15/256 , C07J63/00 , A61K31/704 , A61P35/00 , A61P29/00 , A61P1/00 , A61K9/00
Abstract: 本发明公开了齐墩果酸型皂苷类化合物其结构如下述式(I):其中,R1:-H或者-OH;R2:α-OR3或者β-OR3;R3:-H或者单糖基中的1-2个。其口服药用组合物,可应用于治疗炎症和肿瘤。可以作为前药使用,避免28-羧基取代的皂苷作为药物使用时的胃肠道副作用;而且具有抗炎作用。
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公开(公告)号:CN111029248A
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201911198744.8
申请日:2019-11-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法,包括如下步骤:(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中,进行络合反应,经超滤得到第一溶液;(b)将麦芽糖加入第一溶液中,搅拌得到前驱体溶液;(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上,随后将导电基底置于EBL舱内,进行EBL直写;用水清洗导电基底,除去未固化部分,再在反应性气体中退火,得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺,还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间;同时本发明能够实现不同半导体的图案化,其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致,并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。
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公开(公告)号:CN111029248B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201911198744.8
申请日:2019-11-29
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法,包括如下步骤:(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中,进行络合反应,经超滤得到第一溶液;(b)将麦芽糖加入第一溶液中,搅拌得到前驱体溶液;(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上,随后将导电基底置于EBL舱内,进行EBL直写;用水清洗导电基底,除去未固化部分,再在反应性气体中退火,得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺,还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间;同时本发明能够实现不同半导体的图案化,其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致,并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。
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