公开(公告)号：CN111029248B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201911198744.8

申请日：2019-11-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 邹贵付 ,  戴晓 ,  汪潇涵 ,  蒋怡宁 ,  高亮

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法，包括如下步骤：(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中，进行络合反应，经超滤得到第一溶液；(b)将麦芽糖加入第一溶液中，搅拌得到前驱体溶液；(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上，随后将导电基底置于EBL舱内，进行EBL直写；用水清洗导电基底，除去未固化部分，再在反应性气体中退火，得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺，还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间；同时本发明能够实现不同半导体的图案化，其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致，并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。

公开(公告)号：CN111029248A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911198744.8

申请日：2019-11-29

Applicant: 苏州大学

Inventor： 邹贵付 ,  戴晓 ,  汪潇涵 ,  蒋怡宁 ,  高亮

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法，包括如下步骤：(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中，进行络合反应，经超滤得到第一溶液；(b)将麦芽糖加入第一溶液中，搅拌得到前驱体溶液；(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上，随后将导电基底置于EBL舱内，进行EBL直写；用水清洗导电基底，除去未固化部分，再在反应性气体中退火，得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺，还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间；同时本发明能够实现不同半导体的图案化，其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致，并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。