公开(公告)号：CN120051012A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510498280.1

申请日：2025-04-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 郭李亮 ,  曹国洋 ,  王嘉轩 ,  龚昌平 ,  冯铄媛 ,  杨阵海 ,  秦琳玲 ,  李孝峰

IPC: H10F30/222 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14

Abstract: 本发明公开了一种具有高增益的NPN型异质结光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器领域，NPN型异质结光电探测器包括依次设置于正负电极之间的第一N型半导体层、P型半导体层和第二N型半导体层；所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层材质相同且所述P型半导体层的掺杂浓度大于所述第一N型半导体层的掺杂浓度。本发明通过在光电探测器上加上偏置电压显著提高了光电探测器的光生电流，实现了高响应度，实现了响应度与响应时间的制约关系解耦。通过设计NPN型异质结构探测器，底部的势垒和中间层的耗尽区域能够有效地降低暗电流，实现高的比探测率。

公开(公告)号：CN221041151U

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202322897557.7

申请日：2023-10-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 韦怡君 ,  郭李亮 ,  曹国洋 ,  吴绍龙 ,  郝翊宁 ,  俞诚程 ,  李孝峰

IPC: H01L31/102 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0236

Abstract: 本实用新型公开了一种可见‑近红外波段高效光吸收二维砷化铟光电探测器，所述探测器位于平面波入射光的正下方，包括：衬底；沉积于衬底上的二维砷化铟材料层；沉积于二维砷化铟材料层上表面的等离激元结构阵列，所述等离激元结构阵列的一端通过金属纳米线相连；所述衬底和等离激元结构阵列分别作为一端电极引出导线，连接电流表和电源或者连接负载。本实用新型有效提升了可见‑近红外波段二维砷化铟光电探测器的光吸收率；由于等离激元结构可以根据设计进行调整，探测器具有更广泛的波长适应性，可以适应不同波长的光信号。