公开(公告)号：CN114326164A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111573963.7

申请日：2021-12-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张桂菊 ,  汪成根 ,  王笑笑

IPC: G02F1/01 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的2×2光波导开关及其制备方法。在衬底上设置2×2光开关单元波导结构，两根波导呈轴对称分布，包括两个输入端口和两个输出端口、中间为耦合区域；在耦合区域采用脉冲激光沉积方法制备得到与靶材组分一致的均匀百纳米级的Ge2Sb2Se4Te1薄膜。开关单元由覆盖在耦合区域波导之上的相变材料控制，通过切换相变材料的相态可对横电基模完成双通道选择输入和双路选通、模式切换的功能，对横磁基模则满足同侧端口输入同侧端口输出的功能，具有高消光比、尺寸小、切换速率快的特点。

公开(公告)号：CN112946967A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011539328.2

申请日：2020-12-23

Applicant: 上海交大平湖智能光电研究院 ,  苏州大学

Inventor： 郑分刚 ,  张桂菊 ,  吕元帅 ,  汪成根 ,  王笑笑

IPC: G02F1/313

Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的2×4光波导开关，包括衬底和设置在衬底上的2×2第一级光开关单元和两个1×2并行的第三级光开关单元和第五级光开关单元；所述第一级光开关单元中的开断输出位置由第一开断结构控制，所述第一级光开关单元由第一波导(1)、第二波导(2)组成，第一开断结构由第三相变材料(3)和第四相变材料(4)组成；所述第三级光开关单元和第五级光开关单元中的开断输出位置分别由第二开断结构、第三开断结构控制。通过上述方式，本发明当切换复合波导中的相变材料的相态时，即可完成双通道选择输入和四路选通、模式切换的功能。具有高消光比、低插入损耗、尺寸小、信号切换速率快等特点。

公开(公告)号：CN217181269U

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202123229488.X

申请日：2021-12-21

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张桂菊 ,  汪成根 ,  王笑笑

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/35

Abstract: 本实用新型公开了一种基于相变材料的2×2光波导开关。在二氧化硅衬底上，两根硅波导呈轴对称分布，硅波导的两端呈弯曲状，一端为输入端口，另一端为输出端口，硅波导的中间耦合区域呈直线状，耦合区域覆盖相变薄膜材料。开关单元由覆盖在耦合区域波导之上的相变材料控制，通过切换相变材料的相态可对横电基膜(TE0)完成双通道选择输入和双路选通、模式切换的功能，对横磁基膜(TM0)则满足同侧端口输入同侧端口输出的功能。本实用新型提供的光波导开关可对于混合输入的TE0模和TM0模实现模式分离开关的功能。