公开(公告)号：CN102144486A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110020542.1

申请日：2011-01-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陆小平 ,  王波 ,  李叶峰 ,  杨苏平 ,  王谨 ,  李强 ,  徐建峰 ,  盛亚丹 ,  王宁 ,  王彩晨 ,  王永忠 ,  皇甫兴成

IPC: A01G1/00

Abstract: 本发明公开了一种勋章菊高效快速育苗方法。在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，剪成插穗，每个插穗保留2～5片叶；在渗水性好的框篮或扦插池内中装入厚度为5cm以上的基质并使其充分湿润；将插穗以3～4cm的深度、4～5cm/株的密度插入基质中，用稀释浓度为500～800倍的多菌灵杀菌剂溶液喷洒后移入全日照喷雾装置下任其发根生长；2～3周后移栽于假植钵或泥盆，6周后，即可移入花台建植或地栽，而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明提供的勋章菊育苗方法操作简便，成活率高，育苗期短，培苗成本低；菊苗不仅可以高密度扦插，而且不受季节限制进行室内周年扦插，具有推广应用的前景。

公开(公告)号：CN102144486B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110020542.1

申请日：2011-01-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 陆小平 ,  王波 ,  李叶峰 ,  杨苏平 ,  王谨 ,  李强 ,  徐建峰 ,  盛亚丹 ,  王宁 ,  王彩晨 ,  王永忠 ,  皇甫兴成

IPC: A01G1/00

Abstract: 本发明公开了一种勋章菊高效快速育苗方法。在勋章菊植株上剪下健壮茎蔓或丛生枝，剪成插穗，每个插穗保留2～5片叶；在渗水性好的框篮或扦插池内中装入厚度为5cm以上的基质并使其充分湿润；将插穗以3～4cm的深度、4～5cm/株的密度插入基质中，用稀释浓度为500～800倍的多菌灵杀菌剂溶液喷洒后移入全日照喷雾装置下任其发根生长；2～3周后移栽于假植钵或泥盆，6周后，即可移入花台建植或地栽，而泥盆中的菊苗可直接培育成盆花。本发明提供的勋章菊育苗方法操作简便，成活率高，育苗期短，培苗成本低；菊苗不仅可以高密度扦插，而且不受季节限制进行室内周年扦插，具有推广应用的前景。