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公开(公告)号:CN118382312A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410502576.1
申请日:2024-04-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于光电器件领域,具体涉及一种高外量子效率无铅双钙钛矿发光二极管器件及其制备方法。本发明在旋涂制备方法前躯体溶液中引入三苯基氧化膦,可以起到调控薄膜结晶,降低薄膜的缺陷态密度的作用,进而得到了高结晶度的多晶纳米薄膜。另外本发明还应用该薄膜制备了高外量子效率的钙钛矿发光二极管器件。
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公开(公告)号:CN115449364B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202211152549.3
申请日:2022-09-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于光致发光领域,具体涉及一种无铅双钙钛矿发光材料及其制备方法。该无铅双钙钛矿发光材料的化学式为A4B1B2MX8;其中,A为质子化的有机胺;B1选自Na+或Ag+,B2选自In3+或Bi3+,X选自Cl‑或Br‑;M选自Sb3+或Bi3+。本发明还公开了该材料的制备方法:将原料溶解后,升温搅拌至溶液澄清,清洗,通过溶解度降低晶体析出的方法生长得到无铅双钙钛矿发光材料。通过调控不同部位的离子,得到了具有光致发光性质,量子效率接近100%的无铅双钙钛矿材料。这种材料对钙钛矿发光材料的商业化具有深远的意义。
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公开(公告)号:CN116397330A
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202310277388.9
申请日:2023-03-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于光电材料领域,具体涉及一种锑离子掺杂无铅钙钛矿材料及其制备方法。该Sb5+离子掺杂无铅钙钛矿材料的通式为Cs2M1M2A6(xSb5+),M1为Na+或Ag+,M2为In3+或Bi3+,A为Cl‑或Br‑。本发明还公开了该类材料的制备方法:将称量好的原料置于反应釜的聚四氟乙烯内衬中,加入适量盐酸溶液,经反应后,通过缓慢降温结晶的方法得到单晶样品。通过调控不同部位的离子以及Sb5+的掺杂浓度,一方面得到了具有高性能发光,量子效率超过90%的无铅钙钛矿材料,另一方面得到了带隙可降低至1.24eV的无铅钙钛矿材料。这对钙钛矿发光材料和钙钛矿光伏材料的商业化具有深远的意义。
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公开(公告)号:CN115449364A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202211152549.3
申请日:2022-09-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明属于光致发光领域,具体涉及一种无铅双钙钛矿发光材料及其制备方法。该无铅双钙钛矿发光材料的化学式为A4B1B2MX8;其中,A为质子化的有机胺;B1选自Na+或Ag+,B2选自In3+或Bi3+,X选自Cl‑或Br‑;M选自Sb3+或Bi3+。本发明还公开了该材料的制备方法:将原料溶解后,升温搅拌至溶液澄清,清洗,通过溶解度降低晶体析出的方法生长得到无铅双钙钛矿发光材料。通过调控不同部位的离子,得到了具有光致发光性质,量子效率接近100%的无铅双钙钛矿材料。这种材料对钙钛矿发光材料的商业化具有深远的意义。
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