公开(公告)号：CN113990781A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111353891.5

申请日：2021-11-08

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  张丙昌 ,  卞辰瑜

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种制备单面氧化超薄硅片的装置及方法。本发明包括：第一基板、第二基板和密封件，所述第二基板设有镂空部分，所述第一基板与第二基板可互相连接与拆卸；待减薄的硅片的两面通过密封件固定于第一基板与第二基板之间，所述待减薄的硅片需保留氧化层的一面朝向金属基板，所述待减薄的硅片待除去氧化层的表面暴露于所述镂空部分。本发明提供了一种制备单面氧化超薄硅片的装置和方法，能够有效的对硅片一侧氧化层进行保护，并且提供充足的应力释放空间，避免硅片在加工过程中由于受力不均被破坏，能够简单、低成本的实现单面氧化超薄硅片的制备。

公开(公告)号：CN112573478A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011475382.5

申请日：2020-12-15

Applicant: 苏州大学

Inventor： 张晓宏 ,  张丙昌 ,  卞辰瑜

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种硅纳米锥阵列及其制备方法，采用全湿法金属催化化学刻蚀的方法在硅晶圆表面刻蚀出均匀的硅纳米锥阵列，催化剂金属银颗粒直径在硅微纳结构刻蚀过程中逐渐减小，从而实现了大面积硅纳米锥阵列的可控制备。该方法具有低成本、高效率和适用于大规模生产的优势，所制得的硅纳米锥阵列在光电领域、防水、自清洁窗户以及场发射领域都具有广阔的应用前景。