半导体激光器模组及半导体激光泵浦源

    公开(公告)号:CN117526078A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311278621.1

    申请日:2023-09-29

    Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域,提供一种半导体激光器模组及半导体激光泵浦源,该半导体激光器模组包括:设置于底板上的转向压缩组件、合束器件和多个准直光路组,转向压缩组件包括竖直方向截面非对称的斜方棱镜和若干反射器件。该半导体激光器模组在转向压缩组件引入竖直方向截面非对称的斜方棱镜,通过反射原理使堆叠泵浦光束在竖直方向上产生位移,得到平行于底板平面的第一位移光束,在后续耦合测试时对斜方棱镜的倾斜角度要求较低,降低后续耦合调试的装调操作难度。通过斜方棱镜与反射器件的结合,产生不在同一水平高度上的两类位移光束,降低准直光路组的数量的扩展难度,提高半导体激光泵浦源的功率潜能。

    一种具有功率反馈调节功能的激光装置

    公开(公告)号:CN119419579A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202411577014.X

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种具有功率反馈调节功能的激光装置,包括光模块和电模块,光模块包括至少两路芯片组件,用于出射泵浦光;准直件位于泵浦光的输出光路上,用于将泵浦光转成准直光;偏振合束元件位于至少两束准直光的输出光路上,用于将偏振状态正交的准直光合束输出合束光;光电探测元件位于偏振合束元件的漏光面的出光光路上,用于探测偏振合束元件的漏光信号;电模块包括控制电路,本申请在偏振合束器漏光面设置光电探测器探测漏光信号,可以吸收多余的光能,并基于得到的漏光信号监测泵浦源功率情况,避免了漏光打到壳体上产生热能,缓解了壳体散热问题。

    一种无台阶半导体激光器

    公开(公告)号:CN221651957U

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202323531927.1

    申请日:2023-12-25

    Abstract: 本实用新型公开一种无台阶半导体激光器,包括第一至第四固定部以及依次对应布置于第一至第四固定部上的第一至第四激光发射组,第一至第四固定部沿第二方向排列。其中,第二固定部与第一固定部高度不同,第三固定部与第二固定部高度相同,第四固定部与第一固定部高度相同;第一至第四激光发射组依次对应布置在所述第一至第四固定部的上表面,并与所述上表面呈预定夹角出射第一至第四斜向准直光束组,第一至第四斜向准直光束组分别通过不同的方式改变路径后入射进入合束器。本申请提出的无台阶半导体激光器取消了现有技术中的多台阶式设计,以简单的结构实现了泵浦源高功率的激光输出,大幅减小激光器的尺寸。

    一种激光器泵浦源的封装结构

    公开(公告)号:CN220874005U

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202322619600.3

    申请日:2023-09-26

    Abstract: 本申请属于激光器泵浦源技术领域,尤其涉及一种激光器泵浦源的封装结构。其包括基座,基座沿直线方向延伸设置,基座具有用于输送冷却介质的散热流道,散热流道包括相互连通的第一通道和第二通道,第一通道沿基座的延伸方向贯通设置,并和芯片的排列路径相对应,第二通道凹设于基座的端面,且垂直于基座的延伸方向布置。本申请的第一通道和第二通道直接设置于基座上,省去了额外安装水道的焊接工序,降低了水道焊接的不良率,提高了壳体的生产效率。并且第二通道配置为在基座的端面上的凹槽,基座呈直板状结构,加工方式上更加简单,加工产生的废料相对较少。相对于现有技术而言,本案的壳体结构更有助于降低生产成本,提升生产效率。

    半导体激光器模组及半导体激光器

    公开(公告)号:CN221447692U

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202322658878.1

    申请日:2023-09-29

    Abstract: 本实用新型涉及半导体激光器技术领域,提供一种半导体激光器模组及半导体激光器。该半导体激光器模组包括多个芯片和与其一一对应设置的光束整形组件,各个芯片均用于输出相互平行的泵浦光束,光束整形组件用于对各个泵浦光束准直和定向,以使得各个泵浦光束转化为倾斜光。本案的结构简单,适用范围广,经济效益更佳,便于大大地提高了半导体激光器模组的功率潜能。

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