公开(公告)号：CN117590709A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202410002563.8

申请日：2024-01-02

申请人： 芯仕达电子材料(昆山)有限公司

发明人： 詹博筌 ,  王秋桂 ,  尤绍峰

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明公开去除半导体基材灰化后残留物与光阻剂的组合物及方法，组合物按照重量百分比包括10‑60%的水溶性有机溶剂、5‑50%的有机醇胺类化合物、0.1‑20%的酚类腐蚀抑制剂和5‑50%的水，且不含羟胺，其中所述的水溶性有机溶剂包括N‑甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、醚醇类化合物、多元醇化合物及其混合物。不含羟胺和多官能性有机酸，成本更低，且能去除干法刻蚀电浆灰化后的残留物，对原本晶片上的金属线路、介电层及晶片底材材料无侵蚀或极低度侵蚀。

公开(公告)号：CN118139301A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410430728.1

申请日：2024-04-11

申请人： 芯仕达电子材料(昆山)有限公司

发明人： 詹博筌 ,  王秋桂 ,  尤绍峰

IPC分类号： H05K3/06

摘要： 本发明公开配线基板表面的铜面微蚀粗化方法，包括以下步骤：a.使配线基板表面的铜接触到包括以下质量百分比的组合物：10‑50wt%的有机酸、0.05‑5wt%的二价铜离子、0.01‑2wt%的卤化物离子、0.001‑2wt%的铜配位剂，及余量的水；b.使配线基板表面的铜接触到重量含量百分数为0.1‑10wt%的无机酸水溶液。能大幅度地延长铜面不氧化的时间，让下一道制程可以在适当的时间内直接进行，而不需要再一次的进行表面去除氧化铜的处理。选择适当的微蚀液先进行铜面粗化，并在铜面粗化后使用无机酸水溶液进行清洗，可以达到铜面氧化层的去除，并且能长时间避免氧化，同时亦可维持铜面粗化程度。

公开(公告)号：CN221588690U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202323394303.X

申请日：2023-12-13

申请人： 芯仕达电子材料(昆山)有限公司

发明人： 詹博筌 ,  王秋桂 ,  尤绍峰

IPC分类号： C23C18/31 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

摘要： 本实用新型公开了一种新型的晶圆镀膜用挂具，属于半导体表面处理工艺技术领域，具体包括固定座和至少两根卡接柱，卡接柱受到一个曲面分割形成卡接槽，且该曲面的母线仅弯曲一次，该曲面的导线至多弯曲一次，产品搭接在卡接槽内且其顶、底面的边缘有一组相对应的一点分别抵触在曲面的卡接槽母线拐点的两侧，卡接槽沿卡接柱长度方向均匀设置，固定座上还设置有用于防止产品脱离卡接槽的边缘挡柱。在本方案中，由于卡接槽槽壁为平整光滑的曲面，不会像带有夹角的卡接槽一样增大析出金属与卡接槽内壁的接触面，从而也不会使得析出的金属挂接在夹角处并在此聚集，并且，即使在卡接槽上析出并挂接部分金属，也容易将光滑曲面上挂接的金属清理掉。