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公开(公告)号：CN102947216B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180016329.1
申请日：2011-03-15
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司 , 硅微结构有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 微机电装置具有：适于制造微电子组件的衬底（1），尤其是半导体衬底。微机械组件集成到衬底（1）中，所述微机械组件具有能够可逆地弯曲的弯曲元件（4），该弯曲元件具有与衬底（1）连接的第一端部（34），并且从该第一端部（34）出发通过自由空间（3）延伸。弯曲元件（4）具有至少一个接片（8），该接片带有两个侧边缘，所述侧边缘的走向（35）通过与侧边缘邻接的、引入弯曲元件（4）中的凹处（6）来限定。为了形成在接片（8）内的均匀区域，从弯曲元件（4）的第一端部（34）出发来观察，接片（8）的侧边缘的相互距离减小，其中在所述均匀区域中在将弯曲元件（4）弯曲时出现的机械应力基本上大小相同。此外，该装置具有对于机械应力敏感的至少一个微电子组件（36），所述微电子组件在接片（8）的均匀区域内集成在其中。
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公开(公告)号：CN102947216A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180016329.1
申请日：2011-03-15
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司 , 硅微结构有限公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 微机电装置具有：适于制造微电子组件的衬底（1），尤其是半导体衬底。微机械组件集成到衬底（1）中，所述微机械组件具有能够可逆地弯曲的弯曲元件（4），该弯曲元件具有与衬底（1）连接的第一端部（34），并且从该第一端部（34）出发通过自由空间（3）延伸。弯曲元件（4）具有至少一个接片（8），该接片带有两个侧边缘，所述侧边缘的走向（35）通过与侧边缘邻接的、引入弯曲元件（4）中的凹处（6）来限定。为了形成在接片（8）内的均匀区域，从弯曲元件（4）的第一端部（34）出发来观察，接片（8）的侧边缘的相互距离减小，其中在所述均匀区域中在将弯曲元件（4）弯曲时出现的机械应力基本上大小相同。此外，该装置具有对于机械应力敏感的至少一个微电子组件（36），所述微电子组件在接片（8）的均匀区域内集成在其中。
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公开(公告)号：CN102741979A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005859.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
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公开(公告)号：CN102741979B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180005859.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
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