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公开(公告)号：CN116209793A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180065859.9
申请日：2021-09-23
申请人： 艾伯纳工业炉公司
IPC分类号： C30B23/00
摘要： 本发明涉及一种用于通过PVT或PVD或CVD或取向附生升华来培育晶体的方法，所述方法包括以下步骤：提供用于晶体生长的腔室；提供坩埚，所述坩埚设置所述腔室中并且所述坩埚具有带有籽晶的至少一个析出部段以及用于培育晶体的原始材料；提供至少一个温度监控装置、特别是高温计；提供气体供应装置以及至少一个流体入口和出口；提供压力监控装置；通过泵出装置对所述腔室排真空；用惰性气体、优选氩气冲刷所述腔室；通过至少一个加热装置将所述腔室加热到2000℃至2400℃的培育温度；将压力降低到0.1至100mbar；(在生长过程期间，)供应掺杂物、优选是氮；调节生长过程中的过程参数；在生长过程的结束时提高所述腔室中的压力；冷却所述腔室；其中，在10至10000分钟之内将所述腔室(11)从环境温度加热到培育温度。
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公开(公告)号：CN116234948A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180065856.5
申请日：2021-09-23
申请人： 艾伯纳工业炉公司
IPC分类号： C30B23/06
摘要： 本发明涉及一种用于生长晶体的装置(200)，其包括坩埚(201)和包围该坩埚的用于对坩埚(201)进行隔热的包罩单元(206)。借助该保持单元(207)，包罩单元(206)在坩埚上被保持在其相对于坩埚(201)的相对位置中。所述保持单元(207)包括至少一个构造成细长的、优选易弯曲的保持元件(208)，该保持元件具有第一和第二端部区段(209、210)。保持元件(208)将包罩单元(206)在背离坩埚(201、301)的侧面上在周向上包围并且贴靠在包罩单元上。所述两个端部区段(209、210)相互耦联，由保持元件(208)施加沿径向方向作用在包罩单元(206)上的保持力。
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公开(公告)号：CN115720599A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202180045446.4
申请日：2021-04-27
申请人： 艾伯纳工业炉公司
IPC分类号： C30B11/00
摘要： 本发明涉及一种用于生长晶体的坩埚装置(100)。坩埚装置(100)包括加热室(140)、第一晶体(111)能够在其中生长的至少第一坩埚(110)、以及第二晶体(121)能够在其中生长的至少第二坩埚(120)。第一坩埚(110)和第二坩埚(120)沿着水平方向和竖直方向以及任何取向方向彼此相间隔地布置于所述加热室(140)内。坩埚装置(100)进一步包括布置于所述加热室(140)内的加热系统，其中加热系统被构造成用于调节沿着水平方向和竖直方向以及任何取向方向的温度。
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公开(公告)号：CN113166969A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980076758.4
申请日：2019-11-19
申请人： 艾伯纳工业炉公司
摘要： 本发明涉及一种用于生长晶体的设备(100)。该设备包括腔室(101)和布置在腔室(101)的可加热的容纳空间(103)中的坩埚(102)，其中，坩埚(102)包括构造成用于在内部生长晶体的内部容积(104)。坩埚(102)包括底部(105)，相应的侧壁(106)从该底部延伸到坩埚(102)的顶部部段(107)。坩埚(102)包括至少一个沉积部段(D1至D7)，该沉积部段(D1至D7)构造成用于附着籽晶(108)，其中该沉积部段(D1至D7)形成在坩埚(102)的侧壁(106)与顶部部段(107)中的至少一者上。
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