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公开(公告)号：CN118385566A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202311346097.7
申请日：2023-10-18
申请人： 航天材料及工艺研究所
摘要： 本发明提供了一种与背管整体成形的冷等静压大长径比钨管坯制备方法。该方法通过对原料钨粉末的粒度配比实现特定的粒度分布和氧含量可控；然后进行高温氢气还原退火预处理，通过合理设计的冷等静压胶套和优化的冷等静压压制工艺获得密度高、厚度均匀性好、直线度可控、与背管整体成形连接的冷等静压大长径比钨管坯。本发明钨管坯具有以下特点：1)与背管整体成形连接，管坯表面无裂纹和掉料，以背管内孔为基准加工钨管坯外表面时不出现裂纹、崩角、脱落等现象；(2)密度≥12g/cm3，相对密度≥62％；(3)厚度偏差≤0.3mm；(4)长径比≥15：1；(5)冷等静压后背管直线度≤0.2mm，钨管坯直线度≤0.6mm。
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公开(公告)号：CN117403195A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311252362.5
申请日：2023-09-26
申请人： 航天材料及工艺研究所
摘要： 本发明提供了一种细晶钛硅靶材及其制备方法。该方法是以纯Ti粉和Ti5Si3合金粉末为原料，原料粉末经过球磨混合预处理后装包套进行真空热脱气处理，将脱气后的包套进行热等静压致密化处理，最后通过热处理稳定显微组织，减小内应力。本发明制备的钛硅靶材具有以下优点：(1)钛硅靶材只包含Ti相和Ti5Si3相两种物相，没有TiSi、TiSi2等其他物相；(2)钛硅靶材显微组织细小均匀，平均晶粒尺寸＜50μm；(3)钛硅靶材密度高，相对密度＞99％；(4)Ti相和Ti5Si3相分布均匀，无偏析；(5)硅元素含量高，硅元素含量最高可以达到35at％。
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公开(公告)号：CN108636809A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810359043.7
申请日：2018-04-20
申请人： 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
摘要： 本发明涉及一种金属球形粉末除杂装置及除杂方法，该装置包括第一收集容器、第二收集容器、漏斗和分离板，其中第二收集容器设置在第一收集容器内部，且第二收集容器的端面低于第一收集容器的端面，分离板设置在第二收集容器内部，与第二收集容器的端面呈倾斜角度，且不与第二收集容器接触，漏斗设置在两个收集容器上方，且漏斗出口端与分离板之间保持距离，漏斗内装填待除杂的金属球形粉末，待除杂的金属球形粉末下落至分离板时，金属球形粉末进入第一收集容器，杂质进入第二收集容器，本发明实现了金属球形粉末的除杂，无需通电、传送等动力装置，价格低廉，结构简单，加工和装配无尺寸、形位精度要求，可实现高效低成本金属球形粉末的除杂。
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公开(公告)号：CN118441249A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311348389.4
申请日：2023-10-18
申请人： 航天材料及工艺研究所
摘要： 本发明提供了一种高氧铬靶材的制备方法。该方法包括：1)以脱氧处理和未脱氧处理的两种电解铬粉为原料，按配比装入氩气保护的三维混料机内均匀混合；2)将步骤1)混合后的原料进行冷等静压，封焊后进行真空热脱气，再进行热等静压而得。本发明制备的高氧铬靶材具有以下特点：(1)靶材氧含量高，氧含量在2000～9000ppm范围内可控，且氧元素均匀分布；(2)靶材纯度高，纯度≥99.95％；(3)靶材致密度高，相对密度≥99.5％；(4)靶材组织均匀细小，平均晶粒尺寸≤50μm；(5)靶材无裂纹。本发明制备的高氧铬靶材镀膜性能好、工艺简单、质量控制好、规模化成产成本低。
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公开(公告)号：CN108636809B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810359043.7
申请日：2018-04-20
申请人： 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
摘要： 本发明涉及一种金属球形粉末除杂装置及除杂方法，该装置包括第一收集容器、第二收集容器、漏斗和分离板，其中第二收集容器设置在第一收集容器内部，且第二收集容器的端面低于第一收集容器的端面，分离板设置在第二收集容器内部，与第二收集容器的端面呈倾斜角度，且不与第二收集容器接触，漏斗设置在两个收集容器上方，且漏斗出口端与分离板之间保持距离，漏斗内装填待除杂的金属球形粉末，待除杂的金属球形粉末下落至分离板时，金属球形粉末进入第一收集容器，杂质进入第二收集容器，本发明实现了金属球形粉末的除杂，无需通电、传送等动力装置，价格低廉，结构简单，加工和装配无尺寸、形位精度要求，可实现高效低成本金属球形粉末的除杂。
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