公开(公告)号：CN116326237A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180066317.3

申请日：2021-09-03

Applicant: 美光科技公司

Inventor： M·Z·乌拉 ,  张晓松 ,  A·L·奥尔森 ,  M·M·伊斯兰 ,  T·M·Q·陈 ,  朱超 ,  Z·杨 ,  M·L·卡尔森 ,  张辉钦 ,  D·A·奎利 ,  邓钶锡

IPC: H10B43/50

Abstract: 微电子装置包含下部叠组和上部叠组，所述下部叠组和所述上部叠组各自包括堆叠结构，所述堆叠结构具有布置成叠层的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。柱的下部阵列延伸穿过所述下部叠组的所述堆叠结构，且柱的上部阵列延伸穿过所述上部叠组的所述堆叠结构。所述下部阵列中的所述柱沿着所述下部叠组与所述上部叠组之间的界面与所述上部阵列中的所述柱对准。至少在包括所述柱的基部的高程处，所述下部阵列中的所述柱的柱密度不同于所述上部阵列中的所述柱的柱密度，“柱密度”是相应阵列的每单位水平区域中的柱数目。还公开了相关方法和电子系统。