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发明公开
超导材料及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116420442A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202180050853.4

申请日：2021-07-29

Applicant: 罗彻斯特大学 , 代表内华达大学拉斯维加斯分校的内华达高等教育系统的摄政委员会

Inventor： 利亚拉加马格·迪亚斯 , 阿什坎·萨拉马特

IPC: H10N60/01

Abstract: 本发明描述了超导材料及其制造方法，其中超导材料生长在具有晶格参数的晶体基底上，这些参数对超导材料施加应变，从而降低了使超导材料表现出超导性的外加压力。

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