公开(公告)号：CN108731718B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201810325794.7

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: G01D11/24 ,  B81B7/02

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元的表面的至少一个第一区域进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108726472A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810325984.9

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元免遭红外线检查的方法，其中至少一个层被装入到所述MEMS单元的结构中或者至少一个层被施加到所述MEMS单元的表面上。在此，通过所述至少一个层将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述层上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108726471A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810325459.7

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0012 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00698 ,  G02B5/02 ,  G02B5/208 ,  G02B5/22 ,  G02B26/0833

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中所述MEMS单元的至少一个区域被掺杂，并且其中至少一个经掺杂的所述区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108731718A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810325794.7

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: G01D11/24 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0012 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00539 ,  H04L9/0866 ,  G01D11/245 ,  B81B7/02

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元的表面的至少一个第一区域进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108139278A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680060905.5

申请日：2016-09-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克

IPC: G01K7/36

CPC classification number: G01K7/36

Abstract: 本发明涉及一种温度传感器，其包括：磁性元件（3），磁性元件包括至少一个磁性层（1），磁性层的磁性特性与温度相关，其特征在于，所述磁性层（1）具有带磁涡核（2）的漩涡状磁化分布，其中漩涡状磁化分布被构造在层平面中并且涡流核（2）被构造得垂直于层平面；激励单元（15），其被设置用于将漩涡状磁化分布激励至旋磁化运动；探测单元（16），其被设置用于探测旋磁化运动的谐振频率；和评估单元（19），其被设置用于从旋磁化运动的谐振频率中确定温度。