公开(公告)号：CN103596797A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280018513.4

申请日：2012-02-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·海德里希 ,  M·希尔施 ,  M·克雷奇默 ,  S·加布 ,  C·德琼加 ,  T·维尔纳 ,  M·赫布

IPC: B60L3/06 ,  B60L3/12 ,  G01K7/42 ,  H01L27/02 ,  H02M1/32

CPC classification number: H02P27/06 ,  G01K7/427 ,  G01K2217/00 ,  H02H6/00 ,  H02M2001/327 ,  H02P29/028 ,  H02P29/032 ,  H02P29/68

Abstract: 本发明涉及一种用于运行由逆变器(2)控制的电机(1)的方法，其中，所述逆变器(3)包括具有可控功率开关元件(3)和分别与之并联的功率二极管(4)形式的功率器件的半桥分支(10-U、10-V、10-W)，其中每个所述半桥分支(10-U；10-V；10-W)布置在单独的半导体模块(11-U；11-V；11-W)上，其共同布置在基板(12)上，其中，确定流经半桥分支(10-U、10-V、10-W)的相电流(I_U、I_V、I_W)、在功率器件上所施加的电压和半导体模块(11-u、11-V、11-W)上的温度(t_Sens_U、t_Sens_V、t_Sens_W)，从分别在功率器件处流动的电流(I_U；I_V；I_W)和分别施加的电压中为每个所述功率器件计算损耗功率(P)，从损耗功率(P)为每个所述功率器件以及为温度传感器(13-U、13-V、13-W)确定相应的温度偏移(Δt；Δt_Sens)，所述温度传感器用于确定半导体模块上的温度，从所确定的在半导体模块(11-u、11-V、11-W)上的温度(t_Sens_U、t_Sens_V、t_Sens_W)和所确定的在温度传感器(13-U、13-V、13-W)处的温度偏移(Δt_Sens)确定基板(12)的温度(TempCooler)，并根据所确定的温度偏移(Δt)和基板(12)的所确定的温度(TempCooler)来确定电机(1)的转矩或者功率。

公开(公告)号：CN103596797B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280018513.4

申请日：2012-02-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T·海德里希 ,  M·希尔施 ,  M·克雷奇默 ,  S·加布 ,  C·德琼加 ,  T·维尔纳 ,  M·赫布

IPC: B60L3/06 ,  B60L3/12 ,  G01K7/42 ,  H01L27/02 ,  H02M1/32

CPC classification number: H02P27/06 ,  G01K7/427 ,  G01K2217/00 ,  H02H6/00 ,  H02M2001/327 ,  H02P29/028 ,  H02P29/032 ,  H02P29/68

Abstract: 本发明涉及一种用于运行由逆变器(2)控制的电机(1)的方法，其中，所述逆变器(3)包括具有可控功率开关元件(3)和分别与之并联的功率二极管(4)形式的功率器件的半桥分支(10‑U、10‑V、10‑W)，其中每个所述半桥分支(10‑U；10‑V；10‑W)布置在单独的半导体模块(11‑U；11‑V；11‑W)上，其共同布置在基板(12)上，其中，确定流经半桥分支(10‑U、10‑V、10‑W)的相电流(I_U、I_V、I_W)、在功率器件上所施加的电压和半导体模块(11‑u、11‑V、11‑W)上的温度(t_Sens_U、t_Sens_V、t_Sens_W)，从分别在功率器件处流动的电流(I_U；I_V；I_W)和分别施加的电压中为每个所述功率器件计算损耗功率(P)，从损耗功率(P)为每个所述功率器件以及为温度传感器(13‑U、13‑V、13‑W)确定相应的温度偏移(Δt；Δt_Sens)，所述温度传感器用于确定半导体模块上的温度，从所确定的在半导体模块(11‑u、11‑V、11‑W)上的温度(t_Sens_U、t_Sens_V、t_Sens_W)和所确定的在温度传感器(13‑U、13‑V、13‑W)处的温度偏移(Δt_Sens)确定基板(12)的温度(TempCooler)，并根据所确定的温度偏移(Δt)和基板(12)的所确定的温度(TempCooler)来确定电机(1)的转矩或者功率。