一种阳极压力传感器结构

    公开(公告)号:CN216978190U

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202122596591.1

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 一种阳极压力传感器结构,硅压力传感器芯片与玻璃芯片阳极键合,玻璃芯片与低金属热导系数的垫片键合,然后再与压力传感器不锈钢管壳焊接在一起,用金属封装金属密封外壳密封,内部装有硅压力传感器芯片和键合引线,使用EVG 520进行玻璃芯片、硅压力传感器芯片到低金属热导系数的垫片的阳极键合,在金属封装内孔,压力传感器不锈钢管壳和金属密封外壳之间的焊缝镀有金属Ni,Cr,压力传感器不锈钢管壳和低金属热导系数的垫片之间的缝隙镀有金属Ni,Cr,以防止腐蚀性流体腐蚀,工业封装使用焊接或六角螺母。本申请方案引入了低温度系数金属垫片层,利用晶圆键合技术将芯片和垫片层连接,利用激光焊接将金属垫片焊接在金属底座上,传感器封装全程只有晶圆键合和激光焊接工艺。

    一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器

    公开(公告)号:CN216621547U

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202122568725.9

    申请日:2021-10-25

    Abstract: 一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器,所述的基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器,包括为压力薄膜,谐振器固定点,谐振器,HF释放孔,感应电极和驱动电极,谐振器弹簧,外表面层;其中:压力薄膜设置在谐振器的谐振器固定点上,谐振器上带有HF释放孔,感应电极和驱动电极与谐振器连接,谐振器上带有谐振器弹簧,谐振器侧壁带有外表面层。本实用新型的优点:所述的基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器,利用谐振器/硅掺杂、氧化层和晶体取向改善压力传感器的超温性能。

    一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件

    公开(公告)号:CN207986671U

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201721421917.4

    申请日:2017-10-30

    Abstract: 一种全覆盖吸气剂晶圆级电子元件,其基本构成单元包含下述几个部分:器件晶圆(1)、腔体晶圆(2);其二者通过键合工艺使两个晶圆键合成为一体,键合工艺通过键合层(5)来实现,在二者之间还设置有腔体(3);腔体(3)内的腔体晶圆(2)内表面或是在器件晶圆(1)表面覆盖有一层有活性的覆盖层即吸气层结构(4);吸气层结构(4)的成分为下述几种元素之一或其组合及其氧化物:Ti,Co,Zr,Fe;吸气层结构(4)的厚度范围在500nm‑2um。吸气层结构(4)的制备应用物理气相沉积工艺:溅射或蒸发或二者的组合。本实用新型结构和工艺相对简单,成本低。技术效果优良;其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。

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