公开(公告)号：CN115842063A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211617224.8

申请日：2022-12-15

Applicant: 绍兴文理学院

Inventor： 杨吉庆 ,  谭永胜 ,  余庆

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0272

Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种偏振光探测器及其制备方法，包括硅衬底、第一SiO2薄膜、二维Te薄膜、MAXene薄膜及背电极，第一SiO2薄膜制备在硅衬底表面；第一SiO2薄膜表面沉积有SiO2：Au薄膜，或第一SiO2薄膜表面依次沉积有Au纳米层、第二SiO2薄膜；二维Te薄膜制备在SiO2：Au薄膜表面或第二SiO2薄膜表面；MAXene薄膜制备在二维Te薄膜表面，作为探测器源、漏电极；背电极沉积在硅衬底背面，作为栅电极。本发明提供了一种偏振光探测器，有效提高了Te基偏振光探测器的光吸收能力，使其具有较强的光响应度。

公开(公告)号：CN115763585A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211617328.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 绍兴文理学院

Inventor： 杨吉庆 ,  谭永胜 ,  余庆

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种紫外光探测器及其制备方法，包括基体材料、金属Al薄膜、Ga2O3薄膜、Ga2O3：Au薄膜及MAXene薄膜，金属Al薄膜沉积在基体材料表面；金属Al薄膜表面依次层叠沉积有Ga2O3薄膜和Ga2O3：Au薄膜，金属Al薄膜表面未裸露或一侧表面裸露于Ga2O3薄膜和Ga2O3：Au薄膜；当金属Al薄膜一侧表面裸露，构成裸露电极，金属Al薄膜与Ga2O3薄膜之间沉积有栅氧化层；MAXene薄膜制备在Ga2O3：Au薄膜表面，作为探测器电极。本发明有效提高了Ga2O3薄膜光探测器的紫外光吸收能力，具有较强的光响应度。