等离子体工艺装置及利用其的半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN114582697A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202111427758.X

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明提供一种等离子体工艺装置。等离子体工艺装置包括:腔室,在所述腔室中执行等离子体工艺;卡盘,布置在所述腔室的内部,并且晶片被提供到所述卡盘;气体供应器,布置在所述卡盘的上方,并且向所述腔室的内部提供工艺气体;OES端口,沿着所述腔室的侧壁在竖直方向上延伸,并且接收从第一位置处的等离子体放出的第一光和从第二位置处的等离子体放出的第二光中的每个,所述第二位置比所述第一位置更靠近所述气体供应器;OES传感器,通过感测所述第一光来测量第一等离子体数据,并且通过感测所述第二光来测量第二等离子体数据;以及控制部,利用所述第一等离子体数据和所述第二等离子体数据来控制所述等离子体工艺。

    干燥单元及包括干燥单元的基板处理装置

    公开(公告)号:CN114639613A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111342042.X

    申请日:2021-11-12

    Abstract: 本发明公开一种干燥单元及包括干燥单元的干燥腔及基板处理装置。基板处理装置可包括:包括能够对基板执行所需工程的至少一个工程腔的处理模块、能够将所述基板从外部移送到所述处理模块内的转位模块、以及能够从所述至少一个工程腔去除水分或不必要的气体的干燥单元。所述干燥单元能够从新安装在所述至少一个工程腔内的构成要素去除所述水分或所述不必要的气体。

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