一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109637694A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811572837.8

    申请日:2018-12-21

    申请人: 红河学院

    IPC分类号: H01B1/08 H01M4/90 H01B13/00

    摘要: 本发明提供了一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料,属于导体材料领域。本发明通过对钙钛矿型SrTiO3进行A位7mol%Y共掺杂、B位xmolCr共掺杂,得到分子式为Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ的导体材料,其中x=0.05~0.15,使SrTiO3的性能和结构进行了优化,增加了氧空位浓度提高了电导率,同时通过控制Cr离子的掺杂量,得到了结构为立方钙钛矿型的Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ导体材料。实施例的结果表明,当x=0.15时,900℃时,离子电导率可达0.02622S·cm‑1,材料的总电导率可达0.227S·cm‑1。