发明公开
- 专利标题: 一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料及其制备方法
- 专利标题(英): A and B co-doped strontium titanate conductor material and preparation method thereof
-
申请号: CN201811572837.8申请日: 2018-12-21
-
公开(公告)号: CN109637694A公开(公告)日: 2019-04-16
- 发明人: 单科 , 李楠 , 姚喆 , 孙丽达 , 王静 , 李自静 , 赵进宣
- 申请人: 红河学院
- 申请人地址: 云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自市红河学院
- 专利权人: 红河学院
- 当前专利权人: 红河学院
- 当前专利权人地址: 云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自市红河学院
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 刘奇
- 主分类号: H01B1/08
- IPC分类号: H01B1/08 ; H01M4/90 ; H01B13/00
摘要:
本发明提供了一种A、B位共掺杂钛酸锶导体材料,属于导体材料领域。本发明通过对钙钛矿型SrTiO3进行A位7mol%Y共掺杂、B位xmolCr共掺杂,得到分子式为Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ的导体材料,其中x=0.05~0.15,使SrTiO3的性能和结构进行了优化,增加了氧空位浓度提高了电导率,同时通过控制Cr离子的掺杂量,得到了结构为立方钙钛矿型的Y0.07Sr0.93CrxTi1‑xO3‑δ导体材料。实施例的结果表明,当x=0.15时,900℃时,离子电导率可达0.02622S·cm‑1,材料的总电导率可达0.227S·cm‑1。