公开(公告)号：CN1218246A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98122534.9

申请日：1998-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高田昭夫 ,  阿部守晃 ,  本田忠行 ,  成泽浩亮 ,  柴田拓二

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121

Abstract: 一种使用旋转球形膜的磁阻效应型磁头,包括:平面基本为矩形的磁阻效应膜,其长度方向基本垂直于磁记录介质的滑动面、与磁阻效应膜长度方向一端相连的第一电极、与磁阻效应膜长度方向另一端相连的第二电极以及沿磁阻效应膜宽度方向设置在其两端的硬磁膜。磁阻效应膜由第一铁磁层、非磁性层、第二铁磁层以及反铁磁层一起层叠而成。硬磁膜具有比磁阻效应膜更大的电阻。

公开(公告)号：CN1234578A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99104966.7

申请日：1999-04-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高田昭夫

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/40

Abstract: 提供了一种采用MR元件作为磁探测器并在衬底上制作有磁头元件的MR头,它包含并联连接于MR元件的电容器。衬底由导电材料制成并用作组成电容器的一个电极。由于这种构造,MR头的MR元件很难由于ESD/EOS而被击穿。

公开(公告)号：CN1151575A

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN96110130.X

申请日：1996-06-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 紫田拓二 ,  管野佳弘 ,  本田忠行 ,  高田昭夫 ,  今藤由喜雄 ,  铃木忠男

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3941 ,  G11B5/3945 ,  Y10T29/49032

Abstract: 公开了一种通过磁阻效应探测再生信号的磁阻效应类型薄膜磁头，这种磁头适于通用磁阻效应来探测再生信号。薄膜磁头包括一双层磁阻效应单元，这个磁阻效应单元由第一磁阻效应膜和第二与第一膜宽度相同磁阻效应膜构成，且中间有一层非磁性绝缘膜。由于在第一和第二MR膜之间产生了磁静态耦合，第一和第二MR膜之间的磁场稳定，其影响播放输出的薄膜厚度可以象只有一单层MR膜构成的单层磁头那样得到减小，从而得到了高的播放输出。

公开(公告)号：CN1148711A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：CN96111201.8

申请日：1996-07-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 高田昭夫 ,  柴田拓二 ,  本田忠行

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3941

Abstract: 一种在磁稳定性方面优越并能产生高重放功率的磁阻效应薄膜磁头。该薄膜磁头带有层叠在一起以形成一个磁阻效应元件3的一个连一层抗磁膜或一层硬磁膜在内的磁阻效应稳定层11、一个无磁绝缘层12及一个连一层磁阻效应膜在内的磁阻效应层13。该薄膜磁头还带有一个布置在磁阻效应元件3的一个横向表面上的无磁绝缘层4和一对连接到磁阻效应元件3上部表面两端上的磁阻效应层13上的电极。利用磁阻效应层13的磁阻效应探测重放信号。