公开(公告)号：CN101111993A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200680003423.2

申请日：2006-01-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 逢坂勉 ,  佐藤进

IPC: H03H3/02 ,  H01L41/22 ,  H01L21/302 ,  H01L41/09 ,  H03H9/17 ,  B81C1/00

CPC classification number: H03H9/173 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00476 ,  H01L21/31111 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02149 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42

Abstract: 本发明提供一种能够抑制构造体腐蚀的微型机器的制造方法以及微型机器。其特征在于，具有：在基板(11)上构图形成具有含有氟化氢的解离物质的硅氧化物类材料的牺牲层(12)的第一工序；以覆盖牺牲层(12)的状态在上述基板(11)上形成构造体(16)的第二工序；在牺牲层(12)上的构造体(16)上形成到达牺牲层(12)的孔部(18)的第三工序；从孔部(18)只导入氟化氢气体或者只导入氟化氢气体和惰性气体，利用牺牲层(12)中的解离物质来进行牺牲层(12)的蚀刻，由此在基板(11)和构造体(16)之间形成振动空间的第四工序。

公开(公告)号：CN1296270C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200410088661.0

申请日：2004-11-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 逢坂勉

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/117

Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法，该刻蚀方法能够通过非常精细的刻蚀开口以较好的构造精度，形成具有大的空间部分或复杂结构的空腔部分。如下进行对被处理物体的刻蚀处理：首先，将被处理物体暴露于包含刻蚀反应种的处理流体(第三步骤S3和第四步骤S4)；然后，降低处理腔中的压强以使被处理物体附近的处理流体的密度低于在第四步骤S4中的密度(第一步骤S1)。在重复第一步骤S1到第四步骤S4的同时，在第一步骤S1之后进行的第三步骤S3和第四步骤S4中，包含刻蚀反应种的处理流体被重新输入到其中放置有被处理物体的处理气氛中，以使被处理物体附近的处理流体的密度高于第一步骤S1中的密度。

公开(公告)号：CN1616341A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410088661.0

申请日：2004-11-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 逢坂勉

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01L21/31116 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00547 ,  B81C2201/117

Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法，该刻蚀方法能够通过非常精细的刻蚀开口以较好的构造精度，形成具有大的空间部分或复杂结构的空腔部分。如下进行对被处理物体的刻蚀处理：首先，将被处理物体暴露于包含刻蚀反应种的处理流体(第三步骤S3和第四步骤S4)；然后，降低处理腔中的压强以使被处理物体附近的处理流体的密度低于在第四步骤S4中的密度(第一步骤S1)。在重复第一步骤S1到第四步骤S4的同时，在第一步骤S1之后进行的第三步骤S3和第四步骤S4中，包含刻蚀反应种的处理流体被重新输入到其中放置有被处理物体的处理气氛中，以使被处理物体附近的处理流体的密度高于第一步骤S1中的密度。