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公开(公告)号：CN1595614A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410075239.1
申请日：2004-09-13
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 米屋伸英
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/32051 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/0021 , H01L51/0052 , H01L51/0541
Abstract: 本发明提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源/漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜13上，形成金属单层膜的源/漏电极，以及在源/漏电极之间保留的栅绝缘膜上形成半导体层的沟道形成区域。
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公开(公告)号：CN102891254A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210347746.0
申请日：2009-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述顶栅型有机薄膜晶体管包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。本发明公开的电子装置中设置有上述顶栅型有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1324656C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410075239.1
申请日：2004-09-13
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 米屋伸英
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L21/32051 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L51/0021 , H01L51/0052 , H01L51/0541
Abstract: 本发明提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源/漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜13上，形成金属单层膜的源/漏电极，以及在源/漏电极之间保留的栅绝缘膜上形成半导体层的沟道形成区域。
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公开(公告)号：CN101645488A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910161731.3
申请日：2009-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述有机薄膜晶体管包括：由有机绝缘层形成的基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触；以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
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公开(公告)号：CN101645488B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910161731.3
申请日：2009-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述有机薄膜晶体管包括：由有机绝缘层形成的基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触；以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
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公开(公告)号：CN101542698B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780043517.7
申请日：2007-11-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0095 , H01L51/0035 , H01L51/0083 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105 , Y10T428/31533 , Y10T428/31681 , Y10T428/31692
Abstract: 本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。
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公开(公告)号：CN101542698A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780043517.7
申请日：2007-11-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0095 , H01L51/0035 , H01L51/0083 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105 , Y10T428/31533 , Y10T428/31681 , Y10T428/31692
Abstract: 本发明提供了一种电极覆盖材料、一种电极结构和一种半导体装置，该半导体装置由场效应晶体管构成，该场效应晶体管具有栅极(13)、栅绝缘层(14)、由有机半导体材料层构成的通道形成区域(16)、和由金属制成的源极/漏极(15)。该源极/漏极(15)在其与构成所述通道形成区域(16)的有机半导体材料层所接触的部分用电极覆盖材料(21)所覆盖。由于该电极覆盖材料(21)由具有可结合至金属离子的官能团和结合至由金属制成的源极/漏极(15)的官能团的有机分子构成，所以获得了低接触电阻和高迁移率。
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