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公开(公告)号：CN102161621A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110033683.7
申请日：2006-05-31
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人北海道大学
IPC: C07C69/76 , C07C255/52 , C07C15/38 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0054 , H01L51/0003 , H01L51/0012 , H01L51/0055 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种有机半导体材料，由下面通式(1)表示的多并苯衍生物组成，通式(1)中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自满足下面(条件-A1)和(条件-A2)：(条件-A1)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10独立地是相同的取代基或不同的取代基，但是，R1、R4、R5、R6和R10不能同时为氢原子。(条件-A2)，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9和R10各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基：有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、卤原子和氢原子。通式(1)；本发明提供一种能在低温(例如，室温)溶解于有机溶剂并能适合采用涂布方法的有机半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101645488B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910161731.3
申请日：2009-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述有机薄膜晶体管包括：由有机绝缘层形成的基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触；以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102891254A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210347746.0
申请日：2009-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述顶栅型有机薄膜晶体管包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。本发明公开的电子装置中设置有上述顶栅型有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
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公开(公告)号：CN101645488A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910161731.3
申请日：2009-08-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述有机薄膜晶体管包括：由有机绝缘层形成的基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层，所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极，所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触；以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
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公开(公告)号：CN101635333B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910158226.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0004 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备，所述半导体复合膜包括：包含有机半导体材料的半导体薄膜层；由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层；以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括：配制油墨，使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中；利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层；以及通过除去材料层中的溶剂，在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离，并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
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公开(公告)号：CN101635333A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910158226.3
申请日：2009-07-22
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L51/0566 , H01L51/0004 , H01L51/0537 , H01L51/0545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体复合膜及其形成方法、薄膜晶体管及其制造方法和电子设备，所述半导体复合膜包括：包含有机半导体材料的半导体薄膜层；由在膜厚度方向上与有机半导体材料相分离的高分子材料形成的绝缘薄膜层；以及分散在半导体薄膜层和绝缘薄膜层的至少一者中的微粒材料。所述半导体复合膜形成方法包括：配制油墨，使有机半导体材料、高分子材料及微粒材料溶解在溶剂中；利用印刷方法在基板上形成包含上述油墨的材料层；以及通过除去材料层中的溶剂，在膜厚度方向上使有机半导体材料和高分子材料相分离并实现固化。本发明能通过半导体材料与高分子材料的含量比来控制相分离，并通过微粒材料的分散量来良好地控制膜形成用油墨的粘度和触变性。
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