公开(公告)号：CN101185988B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200710148545.7

申请日：2007-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 尾本启介 ,  中岛稔 ,  稻垣正利

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: B23K26/0738 ,  B23K26/066 ,  H01S3/005

Abstract: 本发明提供一种激光照射装置、激光照射方法、薄膜半导体装置的制造方法以及显示装置的制造方法，防止在利用截取部件截取线状激光时、被截取部件表面反射的激光对半导体膜的结晶化工序造成不良影响。本发明的激光装置包括：工作台(3)，其对形成有半导体膜(5)的基板(4)进行支承；光学系统(1)，其将向基板(4)照射的激光的截面形成线状；一对截取部件(2)，其将由光学系统(1)形成线状的激光LB在线长度方向X上截取规定的长度，在各个截取部件(2)的用于截取的遮光部上设有获取并吸收激光LB的多个翼片(7)。

公开(公告)号：CN101185988A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710148545.7

申请日：2007-08-29

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 尾本启介 ,  中岛稔 ,  稻垣正利

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: B23K26/0738 ,  B23K26/066 ,  H01S3/005

Abstract: 本发明提供一种激光照射装置、激光照射方法、薄膜半导体装置的制造方法以及显示装置的制造方法，防止在利用截取部件截取线状激光时、被截取部件表面反射的激光对半导体膜的结晶化工序造成不良影响。本发明的激光装置包括：工作台(3)，其对形成有半导体膜(5)的基板(4)进行支承；光学系统(1)，其将向基板(4)照射的激光的截面形成线状；一对截取部件(2)，其将由光学系统(1)形成线状的激光LB在线长度方向X上截取规定的长度，在各个截取部件(2)的用于截取的遮光部上设有获取并吸收激光LB的多个翼片(7)。