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公开(公告)号：CN101546823B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910130322.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/04 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/38 , H01M4/387 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供了一种能够改善循环特性的负极和二次电池。该负极包括：在负极集电体上的负极活性物质层，该负极活性物质层包括多个负极活性物质颗粒，其中由该负极活性物质层的表面观察的多个负极活性物质颗粒的平均颗粒面积在1μm2～60μm2的范围内。
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公开(公告)号：CN101587947A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910143040.0
申请日：2009-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中，包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，并且氧的含量为0.5原子％～40原子％。包含在该负极活性物质中的0.1％～17.29％比率的硅以Si-C键存在。
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公开(公告)号：CN103730627B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310611544.7
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括：负极集电体，及布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，且按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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公开(公告)号：CN101320795B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200810109885.3
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M2/0285 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021
Abstract: 本发明一种提供能够改善循环特性和制造成品率的电池。负极包括：负极集电体；和布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包括含有大量孔的负极活性物质，侵入多个孔的水银量的变化率是如下分布的：该变化率在80nm～1200nm且包括端点值的孔径范围内具有峰值，水银侵入量通过水银孔隙率法测量。
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公开(公告)号：CN101381857A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810213081.8
申请日：2008-08-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M2200/106
Abstract: 提供一种能够稳定地形成良好质量薄膜且高度适于批量生产的蒸发设备。蒸发设备包括：蒸发源，通过加热释放蒸发材料；保持部件，保持蒸发对象；及热屏蔽部件，它布置在蒸发源与保持部件保持的蒸发对象之间，具有开口以用于汽相状态下的蒸发材料从蒸发源通过到达蒸发对象，及屏蔽蒸发对象以免受蒸发源的部分辐射热量。热屏蔽部件被布置得距离蒸发源比距离保持部件更近。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101320795A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109885.3
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M2/0285 , H01M4/134 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/64 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M2004/021
Abstract: 本发明一种提供能够改善循环特性和制造成品率的电池。负极包括：负极集电体；和布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包括含有大量孔的负极活性物质，侵入多个孔的水银量的变化率是如下分布的：该变化率在80nm～1200nm且包括端点值的孔径范围内具有峰值，水银侵入量通过水银孔隙率法测量。
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公开(公告)号：CN101320794A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810109884.9
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括：负极集电体，及布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，且按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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公开(公告)号：CN103730627A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310611544.7
申请日：2008-06-05
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种能够提高循环特性的电池。负极包括：负极集电体，及布置在负极集电体上的负极活性物质层，其中负极活性物质层包含负极活性物质，该负极活性物质含有硅(Si)，并包含直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群，且按每单位重量的硅计，该直径为3～50nm且包括两个端点的孔隙的群的容积为0.2cm3/g或更小，该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量的。
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公开(公告)号：CN101587947B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200910143040.0
申请日：2009-05-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M10/052 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供了具有高循环特性的负极以及包括该负极的二次电池。该二次电池包括正极、负极以及电解质。在该负极中，包含硅、碳以及氧作为负极活性物质的负极活性物质层设置在负极集电体上。在该负极活性物质中，碳的含量为0.2原子％～10原子％，并且氧的含量为0.5原子％～40原子％。包含在该负极活性物质中的0.1％～17.29％比率的硅以Si-C键存在。
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公开(公告)号：CN101764221B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910261102.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/38 , H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/66 , H01M10/056 , H01M4/02
CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/13 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M10/0525 , H01M10/4235
Abstract: 提供了一种能改善循环特性的二次电池。该二次电池包括阴极、阳极和电解质溶液。所述电解质溶液浸渍在设置于阴极和阳极之间的隔离器中。在阳极中，在阳极集流器的两个面上设置阳极活性材料和化合物层。阳极活性材料层包含多个阳极活性材料颗粒。所述阳极活性材料颗粒具有含硅作为构成元素的阳极活性材料的多层结构。多层结构中每一层的厚度为50nm～1050nm，包括端值。因此，各层之间的接触特性，阳极活性材料层与阳极集流器之间的接触特性以及集流特性得到改善。
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